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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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chc33

新虫 (初入文坛)

[求助] 光刻工艺

请问光刻胶的曝光时间和软烘时间有关系吗?是不是在其他条件不变的情况下,软烘时间越长需要的曝光时间也越长?望指导!谢谢
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
软烘的目的是除去溶剂,让膜变得均匀密实,而曝光时间的长短实际上就是控制光辐照的能量,这种能量用于切断高分子成小分子(正曝光)或使小分子聚合为高分子(负曝光),由于软烘并不改变聚合物(or 小分子)的化学结构,因此,我觉得软烘时间长短不会曝光时间,但需要注意软烘的温度。
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
2楼2012-09-13 13:10:52
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semi-white

铁杆木虫 (著名写手)

Pay first, then get.

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
PMMA的话,温度一般都是170C  当然也要考虑你用的溶剂。软烘需要去除溶剂
3楼2012-09-13 14:13:14
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

soft baking在理论上来说是去除溶剂,但不仅仅是去除溶剂的过程。软烘时间长对光刻曝光时间和显影时间的影响是很大的,而对于不同成膜树脂的胶,这种影响又有所不同。
传统的我们用到的光刻胶,软烘时间长,不仅仅会去除溶剂,还会发生树脂的热化学反应,树脂会交链。这样的话,对于正胶来说,我们就需要更高的曝光剂量来破坏交联,也就是曝光的时间会延长。对应的显影的时间也会因为交联而延长。而且光刻胶的整体性能会下降,底膜会很不干净。
而IC领域用的CAR,化学放大胶,相对而言soft baking对曝光时间的影响不是那么大,因为破坏交联的主要反映发生在PEB。
soft baking时间长对光刻是很有害的,如果你怕粘附不好,尽量把片子洗干净吧。
4楼2012-09-18 19:12:49
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chc33

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-18 19:12:49
soft baking在理论上来说是去除溶剂,但不仅仅是去除溶剂的过程。软烘时间长对光刻曝光时间和显影时间的影响是很大的,而对于不同成膜树脂的胶,这种影响又有所不同。
传统的我们用到的光刻胶,软烘时间长,不仅仅 ...

衷心谢谢您耐心的回答,真的谢谢了!顺便问一下,在光刻工艺中对于正胶而言,一定需要后烘吗?后烘的作用是什么?希望能得到您的指教。谢谢!
5楼2012-09-18 19:29:48
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

引用回帖:
5楼: Originally posted by chc33 at 2012-09-18 19:29:48
衷心谢谢您耐心的回答,真的谢谢了!顺便问一下,在光刻工艺中对于正胶而言,一定需要后烘吗?后烘的作用是什么?希望能得到您的指教。谢谢!...

一般人们说的后烘有两种,分别是PEB和hard bake。其实我是不赞同把hard bake叫做后烘的,应该叫坚膜,就是进一步去除溶剂,并让光刻胶一定程度的热交联。hard bake的好处是能够把溶剂彻底的清除,并且让树脂坚硬,变得更抗腐蚀或刻蚀,和衬底的附着更好。

PEB也叫后烘,Post Exposure Bake,曝光后的烘烤。这个仅仅用于化学放大胶,Chemical Amplifized Resist。这个过程中,光刻胶发生热化学反应,曝光产生的H+离子在光刻胶中参与该反应,使得光刻胶的长链解开,能被显影液溶解。这种后烘一般来说我们在实验室很少用到,只有少数光刻胶会用,这种胶在IC工厂是主力。
6楼2012-09-19 00:11:16
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ququ_zzz

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

软烘的目的是去除溶剂。软烘时间过短的话,溶剂未除干净,导致曝光效率低下,影响受曝光区域在显影剂中的溶解度。软烘时间过长的话,可能破坏光刻胶中的光敏物质,一样降低曝光效率。所以你可以做一组实验对照一下,找出最适合的条件。
7楼2013-11-07 11:20:08
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