| 查看: 1802 | 回复: 6 | |||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||
[求助]
光刻工艺
|
|||||
| 请问光刻胶的曝光时间和软烘时间有关系吗？是不是在其他条件不变的情况下，软烘时间越长需要的曝光时间也越长？望指导！谢谢 |
回复此楼» 猜你喜欢
修改论文，如何借助其他力量？
已经有4人回复
-
中山大学潘越教授课题组2027级推免硕士研究生招生 新增一个专业医学技术名额
已经有21人回复
-
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有215人回复
-
哈尔滨工程大学国家级青年人才-27年申请考核制博士招生（材料、化学、生物医学专业）
已经有13人回复
-
HRTEM/原位TEM/HRSTEM检测｜价格优·周期短·可加急
已经有0人回复
-
大家平时也可以交流下
已经有1人回复
-
ELSEVIER旗下投稿decision in process后with editor，应该如何理解
已经有45人回复
-
大家是为什么读博士啊?
已经有16人回复
-
有没有同学擅长做流动池电催化CO2与硝酸根还原实验，如果有请联系，重金请教学。
已经有0人回复
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.9
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
【答案】应助回帖
|
一般人们说的后烘有两种，分别是PEB和hard bake。其实我是不赞同把hard bake叫做后烘的，应该叫坚膜，就是进一步去除溶剂，并让光刻胶一定程度的热交联。hard bake的好处是能够把溶剂彻底的清除，并且让树脂坚硬，变得更抗腐蚀或刻蚀，和衬底的附着更好。 PEB也叫后烘，Post Exposure Bake，曝光后的烘烤。这个仅仅用于化学放大胶，Chemical Amplifized Resist。这个过程中，光刻胶发生热化学反应，曝光产生的H+离子在光刻胶中参与该反应，使得光刻胶的长链解开，能被显影液溶解。这种后烘一般来说我们在实验室很少用到，只有少数光刻胶会用，这种胶在IC工厂是主力。 |
6楼2012-09-19 00:11:16
Jackcd12
至尊木虫 (知名作家)
- MN-EPI: 1
- 应助: 2150 (讲师)
- 金币: 13225.5
- 红花: 366
- 帖子: 7749
- 在线: 2176.8小时
- 虫号: 1865159
- 注册: 2012-06-20
- 性别: GG
- 专业: 电化学
2楼2012-09-13 13:10:52
semi-white
铁杆木虫 (著名写手)
Pay first, then get.
- MN-EPI: 4
- 应助: 440 (硕士)
- 贵宾: 0.361
- 金币: 4205.9
- 散金: 2186
- 红花: 43
- 帖子: 1505
- 在线: 603.1小时
- 虫号: 468457
- 注册: 2007-11-27
- 性别: GG
- 专业: 光谱分析
3楼2012-09-13 14:13:14
yswyx
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.9
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
【答案】应助回帖
|
soft baking在理论上来说是去除溶剂，但不仅仅是去除溶剂的过程。软烘时间长对光刻曝光时间和显影时间的影响是很大的，而对于不同成膜树脂的胶，这种影响又有所不同。 传统的我们用到的光刻胶，软烘时间长，不仅仅会去除溶剂，还会发生树脂的热化学反应，树脂会交链。这样的话，对于正胶来说，我们就需要更高的曝光剂量来破坏交联，也就是曝光的时间会延长。对应的显影的时间也会因为交联而延长。而且光刻胶的整体性能会下降，底膜会很不干净。 而IC领域用的CAR，化学放大胶，相对而言soft baking对曝光时间的影响不是那么大，因为破坏交联的主要反映发生在PEB。 soft baking时间长对光刻是很有害的，如果你怕粘附不好，尽量把片子洗干净吧。 |
4楼2012-09-18 19:12:49
