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[求助]
光刻工艺
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| 请问光刻胶的曝光时间和软烘时间有关系吗？是不是在其他条件不变的情况下，软烘时间越长需要的曝光时间也越长？望指导！谢谢 |
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yswyx 
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【答案】应助回帖
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一般人们说的后烘有两种，分别是PEB和hard bake。其实我是不赞同把hard bake叫做后烘的，应该叫坚膜，就是进一步去除溶剂，并让光刻胶一定程度的热交联。hard bake的好处是能够把溶剂彻底的清除，并且让树脂坚硬，变得更抗腐蚀或刻蚀，和衬底的附着更好。 PEB也叫后烘，Post Exposure Bake，曝光后的烘烤。这个仅仅用于化学放大胶，Chemical Amplifized Resist。这个过程中，光刻胶发生热化学反应，曝光产生的H+离子在光刻胶中参与该反应，使得光刻胶的长链解开，能被显影液溶解。这种后烘一般来说我们在实验室很少用到，只有少数光刻胶会用，这种胶在IC工厂是主力。 |
6楼2012-09-19 00:11:16
Jackcd12
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2楼2012-09-13 13:10:52
semi-white
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3楼2012-09-13 14:13:14
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【答案】应助回帖
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soft baking在理论上来说是去除溶剂，但不仅仅是去除溶剂的过程。软烘时间长对光刻曝光时间和显影时间的影响是很大的，而对于不同成膜树脂的胶，这种影响又有所不同。 传统的我们用到的光刻胶，软烘时间长，不仅仅会去除溶剂，还会发生树脂的热化学反应，树脂会交链。这样的话，对于正胶来说，我们就需要更高的曝光剂量来破坏交联，也就是曝光的时间会延长。对应的显影的时间也会因为交联而延长。而且光刻胶的整体性能会下降，底膜会很不干净。 而IC领域用的CAR，化学放大胶，相对而言soft baking对曝光时间的影响不是那么大，因为破坏交联的主要反映发生在PEB。 soft baking时间长对光刻是很有害的，如果你怕粘附不好，尽量把片子洗干净吧。 |
4楼2012-09-18 19:12:49
