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jlu_w

木虫 (正式写手)


[交流] 请教金半接触 肖特基势垒的问题,多谢!

理想情况下,金属和半导体接触是否形成肖特基势垒,是由双方的功函数决定;
金半接触肖特基势垒高度可由 金属功函数 减去 半导体电子亲和势求出,
那么,功函数相等的金属和半导体间还是会存在肖特基势垒的,只不过势垒的高度等于 半导体费米能级到 导带低的距离, 这个势垒高度不会对金半接触产生整流效果。。。
请问高人,小弟分析的对否~
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jlu_w

木虫 (正式写手)


引用回帖:
6楼: Originally posted by 我们玩换座位 at 2012-07-20 09:40:30
没有规定肖特基势垒一定就是金属中的电子迁移到半导体中。它的产生更笼统的说就是随外加电压的改变,载流子迁移发生变化。由于金属半导体的费米能级高度不同导致电子分布不均,电子会从费米能级高的一端流向低的一 ...

对于这位兄台所说的肖特基势垒是随外加偏压载流子迁移发生变化,实际上,对于理想情况下的肖特基结,不计表面态,镜像力和隧道效应,在反向偏压下(金属接负偏压),根据热电子发射理论,反向电流是饱和的,载流子的迁移影响应该不大,除了少子(探针接触)可能会有所影响。
欢迎指正,理论需要讨论~
8楼2012-07-20 10:34:58
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gyp413

银虫 (小有名气)



jlu_w(金币+1): 谢谢参与
啊,不懂,灌水,
2楼2012-07-18 13:14:15
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luhaijiang

新虫 (小有名气)



jlu_w(金币+1): 谢谢参与
金半接触肖特基势垒高度是 金属和半导体的费米能级之差,
功函数相等的金属和半导体间不会存在肖特基势垒。
4楼2012-07-18 13:40:51
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jlu_w

木虫 (正式写手)


引用回帖:
4楼: Originally posted by luhaijiang at 2012-07-18 13:40:51
金半接触肖特基势垒高度是 金属和半导体的费米能级之差,
功函数相等的金属和半导体间不会存在肖特基势垒。

多谢回复! 费米能级差 应该等于 电子从半导体到金属需要越过的势垒,一般为自建电势, 而肖特基势垒是电子从金属向半导体传输需要越过的势垒。 二者相差  半导体导带底和费米能级 的距离。
还请深解!多谢!
5楼2012-07-19 02:53:56
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AnnF3楼
2012-07-18 13:32   回复  
jlu_w(金币+1): 谢谢参与
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