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jlu_w

木虫 (正式写手)

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[交流] 请教金半接触肖特基势垒的问题，多谢！

理想情况下，金属和半导体接触是否形成肖特基势垒，是由双方的功函数决定；
金半接触肖特基势垒高度可由金属功函数减去半导体电子亲和势求出，
那么，功函数相等的金属和半导体间还是会存在肖特基势垒的，只不过势垒的高度等于半导体费米能级到导带低的距离，这个势垒高度不会对金半接触产生整流效果。。。
请问高人，小弟分析的对否~

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1楼 2012-07-18 13:03:54

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jlu_w

木虫 (正式写手)

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引用回帖:

6楼: Originally posted by 我们玩换座位 at 2012-07-20 09:40:30
没有规定肖特基势垒一定就是金属中的电子迁移到半导体中。它的产生更笼统的说就是随外加电压的改变，载流子迁移发生变化。由于金属半导体的费米能级高度不同导致电子分布不均，电子会从费米能级高的一端流向低的一 ...

对于这位兄台所说的肖特基势垒是随外加偏压载流子迁移发生变化，实际上，对于理想情况下的肖特基结，不计表面态，镜像力和隧道效应，在反向偏压下（金属接负偏压），根据热电子发射理论，反向电流是饱和的，载流子的迁移影响应该不大，除了少子（探针接触）可能会有所影响。
欢迎指正，理论需要讨论~