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请教金半接触 肖特基势垒的问题,多谢!
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jlu_w
木虫
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[交流]
请教金半接触 肖特基势垒的问题,多谢!
理想情况下,金属和半导体接触是否形成肖特基势垒,是由双方的功函数决定;
金半接触肖特基势垒高度可由 金属功函数 减去 半导体电子亲和势求出,
那么,功函数相等的金属和半导体间还是会存在肖特基势垒的,只不过势垒的高度等于 半导体费米能级到 导带低的距离, 这个势垒高度不会对金半接触产生整流效果。。。
请问高人,小弟分析的对否~
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1楼
2012-07-18 13:03:54
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jlu_w
木虫
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4楼
:
Originally posted by
luhaijiang
at 2012-07-18 13:40:51
金半接触肖特基势垒高度是 金属和半导体的费米能级之差,
功函数相等的金属和半导体间不会存在肖特基势垒。
多谢回复! 费米能级差 应该等于 电子从半导体到金属需要越过的势垒,一般为自建电势, 而肖特基势垒是电子从金属向半导体传输需要越过的势垒。 二者相差 半导体导带底和费米能级 的距离。
还请深解!多谢!
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5楼
2012-07-19 02:53:56
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gyp413
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jlu_w(金币+1): 谢谢参与
啊,不懂,灌水,
!
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2楼
2012-07-18 13:14:15
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luhaijiang
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★
jlu_w(金币+1): 谢谢参与
金半接触肖特基势垒高度是 金属和半导体的费米能级之差,
功函数相等的金属和半导体间不会存在肖特基势垒。
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4楼
2012-07-18 13:40:51
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我们玩换座位
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★
jlu_w(金币+1): 谢谢参与
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5楼
:
Originally posted by
jlu_w
at 2012-07-19 02:53:56
多谢回复! 费米能级差 应该等于 电子从半导体到金属需要越过的势垒,一般为自建电势, 而肖特基势垒是电子从金属向半导体传输需要越过的势垒。 二者相差 半导体导带底和费米能级 的距离。
还请深解!多谢!...
没有规定肖特基势垒一定就是金属中的电子迁移到半导体中。它的产生更笼统的说就是随外加电压的改变,载流子迁移发生变化。由于金属半导体的费米能级高度不同导致电子分布不均,电子会从费米能级高的一端流向低的一端。还有半导体的功函数定义是费米能级到真空电子能级的能量差,而不是导带底。这两个概念似乎还是有差异的。真空电子能级就是指电子成为真正的自由电子。而导带的电子是参与导电的最外层价电子。
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6楼
2012-07-20 09:40:30
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3楼
2012-07-18 13:32
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