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jlu_w

木虫 (正式写手)

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[交流] 请教金半接触肖特基势垒的问题，多谢！

理想情况下，金属和半导体接触是否形成肖特基势垒，是由双方的功函数决定；
金半接触肖特基势垒高度可由金属功函数减去半导体电子亲和势求出，
那么，功函数相等的金属和半导体间还是会存在肖特基势垒的，只不过势垒的高度等于半导体费米能级到导带低的距离，这个势垒高度不会对金半接触产生整流效果。。。
请问高人，小弟分析的对否~

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1楼 2012-07-18 13:03:54

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

我们玩换座位

金虫 (正式写手)

应助: 24 (小学生)
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虫号: 1592812

★
jlu_w(金币+1): 谢谢参与

引用回帖:

5楼: Originally posted by jlu_w at 2012-07-19 02:53:56
多谢回复！费米能级差应该等于电子从半导体到金属需要越过的势垒，一般为自建电势，而肖特基势垒是电子从金属向半导体传输需要越过的势垒。二者相差半导体导带底和费米能级的距离。
还请深解！多谢！...

没有规定肖特基势垒一定就是金属中的电子迁移到半导体中。它的产生更笼统的说就是随外加电压的改变，载流子迁移发生变化。由于金属半导体的费米能级高度不同导致电子分布不均，电子会从费米能级高的一端流向低的一端。还有半导体的功函数定义是费米能级到真空电子能级的能量差，而不是导带底。这两个概念似乎还是有差异的。真空电子能级就是指电子成为真正的自由电子。而导带的电子是参与导电的最外层价电子。