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jlu_w

木虫 (正式写手)

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[交流] 请教金半接触肖特基势垒的问题，多谢！

理想情况下，金属和半导体接触是否形成肖特基势垒，是由双方的功函数决定；
金半接触肖特基势垒高度可由金属功函数减去半导体电子亲和势求出，
那么，功函数相等的金属和半导体间还是会存在肖特基势垒的，只不过势垒的高度等于半导体费米能级到导带低的距离，这个势垒高度不会对金半接触产生整流效果。。。
请问高人，小弟分析的对否~

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1楼 2012-07-18 13:03:54

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jlu_w

木虫 (正式写手)

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引用回帖:

6楼: Originally posted by 我们玩换座位 at 2012-07-20 09:40:30
没有规定肖特基势垒一定就是金属中的电子迁移到半导体中。它的产生更笼统的说就是随外加电压的改变，载流子迁移发生变化。由于金属半导体的费米能级高度不同导致电子分布不均，电子会从费米能级高的一端流向低的一 ...

多谢回复！！！理论需要讨论。。。不过大哥好像没有真正理解我的意思，好像我也没理解你的意思。。。（除了基本概念）。
做一个假设，Al和n-Si接触的情况：Al功函数4.25eV，16次幂掺杂的n-Si的功函数一般也为4.25eV（n-Si电子亲和势4.05eV），所以不考虑表面态二者因为功函数相等（费米能级齐平）而不发生电子转移。但是肖特基势垒的计算公式可以为：Al的功函数减去n-Si的电子亲和势，即4.25-4.05=0.2eV。这么看来，Al和是n-Si之间是存在肖特基势垒的，只不过这0.2eV的势垒，正好也等于n-Si费米能级到其导带底的距离，不会产生整流效果。呵呵~