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jlu_w

木虫 (正式写手)

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[交流] 请教金半接触肖特基势垒的问题，多谢！

理想情况下，金属和半导体接触是否形成肖特基势垒，是由双方的功函数决定；
金半接触肖特基势垒高度可由金属功函数减去半导体电子亲和势求出，
那么，功函数相等的金属和半导体间还是会存在肖特基势垒的，只不过势垒的高度等于半导体费米能级到导带低的距离，这个势垒高度不会对金半接触产生整流效果。。。
请问高人，小弟分析的对否~

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1楼 2012-07-18 13:03:54

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我们玩换座位

金虫 (正式写手)

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引用回帖:

7楼: Originally posted by jlu_w at 2012-07-20 10:25:18
多谢回复！！！理论需要讨论。。。不过大哥好像没有真正理解我的意思，好像我也没理解你的意思。。。（除了基本概念）。
做一个假设，Al和n-Si接触的情况：Al功函数4.25eV，16次幂掺杂的n-Si的功函数一般也为4.25 ...

可能是我看的书比较少，还真不知道肖特基势垒的计算公式有那么简单。在半导体物理书上我就找到一个势垒厚度随外压变化的公式，那里面有三个变量：外压，表面势，电子浓度。从前面的推导可知表面势就是内建电场的电势差，也就是功函数之差除以q得到的。你用的那个公式很简单，我觉得应该是有什么前提条件，你直接用那个公式就忘记考虑了那些个前提条件，所以才得到这样一个结论。试着用最原始的公式来做。