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计算带电缺陷形成能的时候，带电缺陷需不需要做结构优化
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| 请问在计算带电缺陷形成能的时候，带电的缺陷体系需不需要先做结构优化，这个对计算带电缺陷不同价态的transition level是不是不准？ |
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