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请教各位虫友,AlN薄膜耐强碱腐蚀吗?
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请教各位虫友,AlN薄膜耐强碱腐蚀吗?
小弟想利用AlN薄膜的压电性,所以,前不久刚通过直流磁控反应溅射做了几片AlN薄膜,XRD结果测试也有(002)取向的衍射峰,但当我我把做好的AlN薄膜放入AZ300的显影液里时,薄膜被慢慢腐蚀掉了,大约两分钟后就看到清晰的腐蚀痕迹。看过相关文献介绍说,AlN很稳定,可以耐强酸、强碱,但不知AlN为何会被显影液腐蚀掉(显影液显弱碱性),难道自己制备的薄膜不是纯正的AlN。求哪位老师、师哥or师姐给指点一下。
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2012-04-28 17:21:46
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Originally posted by
MANOWAR
at 2012-04-29 17:41:20:
我猜想,磁控溅射的材料可能质量不是很好,薄膜会出现多种晶向,某些方向的AlN很稳定,但是另一些方向上却很活泼,所以容易被腐蚀掉。建议找一些其它手段生长的材料来做实验,试一试。
谢谢指教
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2012-04-29 22:04:26
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我猜想,磁控溅射的材料可能质量不是很好,薄膜会出现多种晶向,某些方向的AlN很稳定,但是另一些方向上却很活泼,所以容易被腐蚀掉。建议找一些其它手段生长的材料来做实验,试一试。
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2012-04-29 17:41:20
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at 2012-04-29 17:41:20:
我猜想,磁控溅射的材料可能质量不是很好,薄膜会出现多种晶向,某些方向的AlN很稳定,但是另一些方向上却很活泼,所以容易被腐蚀掉。建议找一些其它手段生长的材料来做实验,试一试。
谢谢您的解答,我还想顺便问一下,您觉得用什么方法生长的材料较好,可以用了做实验?
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4楼
2012-04-29 22:15:47
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4楼
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Originally posted by
大水杯
at 2012-04-29 22:15:47:
谢谢您的解答,我还想顺便问一下,您觉得用什么方法生长的材料较好,可以用了做实验?
说实话,用哪种方式好我不敢确定,因为我知识有限。不过我想,相比于磁控溅射,采用MOCVD或者MBE来生长薄膜,一般来说质量会更好一些。但是AlN一般都长不厚,而且如果直接在衬底上生长出来的AlN应该也都是小晶粒,最好能有缓冲层。XRD看的话,最好只有AlN(0002)峰以及衬底或者缓冲层的峰。如果出现多个AlN的峰,那说明薄膜取向不一致,恐怕做腐蚀的话还会出现之前的问题。
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5楼
2012-04-30 10:03:05
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