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阳极溶出伏安法怎么做？
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欲仿照一篇文献用阳极伏安法测试汞离子。文献如下： Fig. 4 compares square wave anodic stripping voltammetric (SWASV) response for Hg2+ obtained at Au electrodes modified withgraphene oxide (black curve) and with cysteamine-functionalizedgraphene (red curve). In this case, both electrodes were first immersedinto aqueous solution of Hg2+ with the same concentration for 2 h, taken out of the solution, and rinsed with water. The electrodes werethen immersed into 0.10 M HCl solution containing no Hg2+ and were polarized at -0.10 V for 10 s before square wave voltammetric measurements. In an independent experiment, we found that the reduction at -0.10 V for 10 s was enough to reduce Hg2+ tethered onto the cysteamine-functionalized graphene surface. 请问： 1.在汞离子溶液中吸附了2h后，在0.1M的HCl中在-0.1V极化10s的目的是什么，为什么不直接测啊？ 2.谁用过CHI740D电化学工作站？怎么设置这些条件呢？我只找到了square wave voltammetric 的选项，在system里有这些选项：Init E(V) ,Final E(V) ,Incr E(V) ,Amplitude(V) ,Frequency(Hz) ,Quiet time(Sec) ,Senstivity(A/V).在control菜单中找到Stripping mode选项，见下图。 本人对电化学所知甚少，求电化学高人指点，解释得越详细越好！  文献  Stripping Mode |
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| 阳极溶出分析，一般是有个富集的过程，然后是溶出的过程。富集电位选择是根据你溶出的电位来选择。比如你的溶出电位是0.5v，你的富集电位（deposition E）要设置比0.5v电位要小的电位。还有富集时间的选择，可以考察不同时间的影响，然后确定你的富集时间（deposition Time）。方波的应用是溶出的过程，你可以参考文献中的参数来设置，然后根据自己的情况来优化你的参数 |
2楼2012-04-12 09:46:08
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