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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 半导体能带隙数值 能说明半导体导电能力强弱么？
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HIKING

金虫 (小有名气)

[交流] 半导体能带隙数值 能说明半导体导电能力强弱么？ 已有6人参与

我是菜鸟   我看的一篇文献说  通过紫外漫反射边通过F(R)hv2对hv作图  得到能带隙为4.3  能说明是半导体么  材料是氧化铜在介孔材料里
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1楼 2012-03-14 22:21:29
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回归2011

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
紫外漫反射边通过F(R)hv2对hv作图，通过紫外可以测试半导体的带隙，这种称之为光学带隙，一般论文里都是这样做的。

而氧化铜确实是一种半导体薄膜。氧化亚铜也是。均可以作为薄膜太阳能电池材料，尽管效率比较低。
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6楼2012-12-20 16:19:36
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yehesuifeng

金虫 (著名写手)
应该还和温度相关
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天天上一次小木虫！
2楼2012-03-15 19:42:38
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taofei

捐助贵宾 (正式写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
悠然zx11: 金币+1, 多谢参与 ，鼓励详细交流，欢迎常来^0^ 2012-03-16 10:30:14
禁带宽度是和温度有关温度升高禁带变窄
一般来说宽度的大小能够决定本征载流子的浓度，从而决定了电阻率，也就是导电能力强弱
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3楼2012-03-16 09:34:29
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wuxm0618

金虫 (小有名气)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
悠然zx11: 金币+1, 多谢参与交流 ，欢迎常来^0^ 2012-04-07 10:03:10
只能说明本征材料的导电能力很弱，在有杂质或者缺陷的情况下可能还是有好的导电性能。
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说到不如做到。
4楼2012-04-04 13:53:31
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