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半导体能带隙数值 能说明半导体导电能力强弱么?
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金虫
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专业: 无机合成和制备化学
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半导体能带隙数值 能说明半导体导电能力强弱么?
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我是菜鸟 我看的一篇文献说 通过紫外漫反射边通过F(R)hv2对hv作图 得到能带隙为4.3 能说明是半导体么 材料是氧化铜在介孔材料里
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2012-03-14 22:21:29
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yehesuifeng
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专业: 金属结构材料
应该还和温度相关
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天天上一次小木虫!
2楼
2012-03-15 19:42:38
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taofei
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2012-03-16 10:30:14
禁带宽度是和温度有关温度升高禁带变窄
一般来说宽度的大小能够决定本征载流子的浓度,从而决定了电阻率,也就是导电能力强弱
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3楼
2012-03-16 09:34:29
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wuxm0618
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悠然zx11: 金币+1, 多谢参与交流 ,欢迎常来^0^
2012-04-07 10:03:10
只能说明本征材料的导电能力很弱,在有杂质或者缺陷的情况下可能还是有好的导电性能。
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说到不如做到。
4楼
2012-04-04 13:53:31
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混沌学徒
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专业: 半导体晶体与薄膜材料
★
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带隙越窄越接近金属吧,越宽就越接近绝缘体
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5楼
2012-12-15 10:48:19
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回归2011
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专业: 半导体晶体与薄膜材料
★
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紫外漫反射边通过F(R)hv2对hv作图,通过紫外可以测试半导体的带隙,这种称之为光学带隙,一般论文里都是这样做的。
而氧化铜确实是一种半导体薄膜。氧化亚铜也是。均可以作为薄膜太阳能电池材料,尽管效率比较低。
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6楼
2012-12-20 16:19:36
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lifenghappy
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专业: 半导体材料
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还和温度有关,不能笼统的说导电能力的好坏,半导体材料随温度的变化情况很复杂
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7楼
2013-01-04 17:16:48
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