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离子注入薄膜后,RTA温度和时间如何计算?
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cnxhw
木虫
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专业: 半导体电子器件
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离子注入薄膜后,RTA温度和时间如何计算?
比如离子注入Si到15nm的薄膜,7Kev的能量,1e14的剂量,如何确定RTA的退火时间和温度??
多谢指教!
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2012-02-09 09:09:33
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xuwenqing000
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专业: 半导体晶体与薄膜材料
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2楼
:
Originally posted by
zjuking
at 2012-03-15 21:06:06
要看profile,直接用tcad仿真就可以了;是在想知道怎么算,去看tcad的mannual,里面有RTA的model
请问你是说的Silvaco TCAD么?
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4楼
2012-10-18 10:09:01
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zjuking
银虫
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虫号: 477670
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专业: 半导体电子器件
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
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★★★
很有帮助
2012-03-16 10:15:12
cnxhw: 金币+2,
★★★
很有帮助
2012-03-18 14:20:54
要看profile,直接用tcad仿真就可以了;是在想知道怎么算,去看tcad的mannual,里面有RTA的model
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2楼
2012-03-15 21:06:06
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cnxhw
木虫
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专业: 半导体电子器件
引用回帖:
2楼
:
Originally posted by
zjuking
at 2012-03-15 21:06:06:
要看profile,直接用tcad仿真就可以了;是在想知道怎么算,去看tcad的mannual,里面有RTA的model
谢了,我自己找找看。
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3楼
2012-03-16 10:14:50
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