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wangkaiyue金虫 (著名写手)
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【求助】离子注入与电子辐射的区别 已有5人参与
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| 离子注入ion implant是将高能量的离子打入固体表面或内部，从而形成半导体材料，而电子辐射electron irradition是利用高能或低能电子使材料产生活性空位，那使用的电子去哪了？？反射了还是留在基体内？？请问各位大虾，两者的区别，本人是菜鸟。 |
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2楼2010-07-03 12:09:21
3楼2010-07-04 01:07:42
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4楼2010-07-04 09:15:31
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wangkaiyue(金币+1): 2010-07-05 11:17:39
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wangkaiyue(金币+1): 2010-07-05 11:17:39
wangkaiyue(金币+1): 2010-07-05 11:18:36
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离子注入和电子辐照都是辐照方式，当然绝大部分都是留在材料内部，这毫无疑问。 不同之处在与于一个核能损为主，一个点电子能损为主。 至于后续造成的导电性能的影响，你似乎还没有彻底理解这个问题，电子导电还是空穴导电是宏观行为，得和材料的整体性能放在一起考虑，不能说电子辐照了就成了N型了，殊不知他内部造成的大量缺陷以及自由载流子与辐照能量和剂量密切相关。 |
5楼2010-07-04 21:10:50
6楼2010-07-04 21:15:17
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7楼2010-07-05 08:29:40
，至于是核能损和电子能损哪一个为主，要看注入离子的能量，个人认为，离子注入和离子辐照是一个意思 8楼2013-06-03 16:44:56
