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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 离子注入薄膜后，RTA温度和时间如何计算？
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cnxhw

木虫 (小有名气)

[求助] 离子注入薄膜后，RTA温度和时间如何计算？

比如离子注入Si到15nm的薄膜，7Kev的能量，1e14的剂量，如何确定RTA的退火时间和温度？？
多谢指教!
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1楼 2012-02-09 09:09:33
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cnxhw

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by zjuking at 2012-03-15 21:06:06:
要看profile，直接用tcad仿真就可以了；是在想知道怎么算，去看tcad的mannual，里面有RTA的model

谢了，我自己找找看。
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3楼2012-03-16 10:14:50
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zjuking

银虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
cnxhw: 金币+3, ★★★很有帮助 2012-03-16 10:15:12
cnxhw: 金币+2, ★★★很有帮助 2012-03-18 14:20:54
要看profile，直接用tcad仿真就可以了；是在想知道怎么算，去看tcad的mannual，里面有RTA的model
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2楼2012-03-15 21:06:06
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xuwenqing000

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by zjuking at 2012-03-15 21:06:06
要看profile，直接用tcad仿真就可以了；是在想知道怎么算，去看tcad的mannual，里面有RTA的model

请问你是说的Silvaco TCAD么？
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4楼2012-10-18 10:09:01
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