| 查看: 9957 | 回复: 30 | ||||||||||||||||||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||||||||||||||||||||||
cenwanglai荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
|
[交流]
看看别人仅用VASP做DOS计算发好文章（两篇PRL） 已有17人参与
|
|||||||||||||||||||||
第一篇：2009年的，提出金属-非金属共掺杂提高TiO2光解水能力的DFT证据。 上面这段文字中的charge-compensated donnor-acceptor是什么意思？在这篇文章中N-V（Nb）配对，N相对TiO2中的O缺1个电子，V相对Ti多一个电子；C-Cr(Mo)配对,前者相对O少两个电子，后者相对Ti多两个电子。非金属掺杂元素所少的电子数正式过渡金属掺杂原子所多出的电子数，这就是所谓的charge-compesated donnor-acceptor? 文中把这种成对掺杂称为passivated codoping,直接翻译为“钝化共掺杂”，这个概念怎么理解？常说的charge compensated effect 是什么？  上面这段文字中作者们计算过渡金属dns0组态的d轨道本征值。这个是怎么做的？这篇文章是用VASP算的，VASP有这个功能吗？这个与对PDOS的d轨道部分做数值积分应该是一样的吧？ 第二篇：2011年的，提出非金属掺杂TiO2形成双holes耦合调控TiO2带隙宽度的DFT证据。这篇文章实际上做的不是DOS计算，而是能带和吸收光谱计算。 比较这篇文章的Fig 1和Fig3，可以看到作者把间隙态清晰的在能带结构中做了标示。每条能带最多可以填充两个电子。Fig 3a中的a1态是半充满的，e的两条能带是全充满的。而Fig 3b中两条ea带是全充满的。这里提供了一个分析和指认能带归属范例。但是Fig 3没有给出费米能级。我猜Fig 3a中费米能级通过a1，Fig 3b和c中费米能级在ea与导带之间。    在这里的能带结构图中，没有标注费米能级位置和横坐标展开K点顺序。这样都可以。看来写文章重在阐述“新的发现”。细枝末节的东西，能省则省。   上面计算掺杂TiO2的吸收光谱的时候，对以单个N原子掺杂TiO2光谱的计算，文中特别强调让N多带一个负电荷。这是为什么呢？ 提两个一般性问题： （1）通过掺杂调整半导体禁带宽度，这个是早就写进教材中的“常识”。第一篇文章到底给出了什么特别的，新奇的，但是也有一定普遍指导意义的东西呢？ 或者只是因为这篇文章做的体系联合了TiO2+光催化分解水+非金属掺杂的试验研究等当时热门的话题。 （2）第一篇文章中没有给出非金属-金属共掺杂的几何结构。没有给出掺杂原子取代相对位置。这个可以吗？ [ Last edited by cenwanglai on 2012-2-5 at 12:54 ] |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : PhysRevLett[1].102.036402.pdf
- 附件 2 : PhysRevLett[1].106.066801.pdf
2012-02-04 20:58:35, 341.75 K
2012-02-04 20:59:03, 1.2 M
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 仿真建模与计算 | 开阔眼界 | VASP | 学术 |
| 第一性原理计算经验 | 物理前沿 | first principle | VASP算例 |
| 生活的乐趣 | 科研下载 | 第一性原理杂 | 备注下载 |
| 纳米及第一性原理方向 | 量子理论见解 | 学习 | 爪机党 |
| First principle | 文献研究 | 心理互助 |
» 本帖@通知
» 猜你喜欢
求调剂院校信息
已经有4人回复
-
085600材料与化工306
已经有4人回复
-
286求调剂
已经有10人回复
-
328求调剂，英语六级551，有科研经历
已经有9人回复
-
一志愿北京化工大学070300 学硕336求调剂
已经有4人回复
-
286分人工智能专业请求调剂愿意跨考！
已经有8人回复
-
资源与环境 调剂申请(333分)
已经有5人回复
-
280求调剂
已经有12人回复
-
269专硕求调剂
已经有5人回复
-
材料学硕301分求调剂
已经有7人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 各位大侠进来看一下哇，计算石墨烯态密度时出现警告，是什么意思？
已经有13人回复
- 自旋轨道耦合第一性原理计算
已经有11人回复
- 用VASP计算原子轨道能级
已经有9人回复
- 关于赝势与自洽计算
已经有15人回复
- 如何做vasp掺杂
已经有15人回复
- 关于TiO2掺杂DOS图的问题
已经有12人回复
- VASP计算chemistry of materials CeO2掺杂一篇——顺求文中配位场理论解释
已经有21人回复
- vasp计算过渡态问题
已经有13人回复
- vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
已经有33人回复
- vasp计算DOS,以及如何判断参数的设置是合理的，达到要求的精度
已经有7人回复
- vasp计算掺杂体系的形成能
已经有7人回复
- VASP能算单个原子的DOS吗
已经有8人回复
- 【求助成功】VASP算出来的能带和DOS图对应不上，哪里出了问题？
已经有20人回复
- 【求助】siesta 计算DOS应该注意什么问题
已经有3人回复
- 【求助】vasp怎么计算PDOS?
已经有10人回复
- 【求助】用vasp计算表面的DOS有什么需要注意的？
已经有5人回复
- 【求助】能否发一份用vasp计算超晶胞某个表面的输入文件给我
已经有7人回复
- 【求助】vasp做表面计算时真空层的厚度
已经有13人回复
- 【重点讨论帖】vasp处理f电子体系
已经有28人回复
uuv2010
荣誉版主 (职业作家)
- 1ST强帖: 6
- 应助: 160 (高中生)
- 贵宾: 3.14
- 金币: 3681.7
- 散金: 5802
- 红花: 79
- 沙发: 35
- 帖子: 4560
- 在线: 916小时
- 虫号: 966216
- 注册: 2010-03-09
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
- 管辖: 第一性原理
5楼2012-02-05 09:39:49
huangdan9604
铁杆木虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 6274.3
- 散金: 501
- 帖子: 733
- 在线: 450.2小时
- 虫号: 70902
- 注册: 2005-05-28
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
2楼2012-02-04 21:23:06
dragonlong
木虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1787.4
- 散金: 9
- 帖子: 144
- 在线: 493.2小时
- 虫号: 68507
- 注册: 2005-05-18
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2012-02-04 21:31:55
cenwanglai
荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
- 1ST强帖: 5
- 应助: 46 (小学生)
- 贵宾: 8.842
- 金币: 7440.4
- 散金: 9654
- 红花: 118
- 沙发: 23
- 帖子: 5306
- 在线: 1961.4小时
- 虫号: 537452
- 注册: 2008-04-01
- 性别: GG
- 专业: 理论和计算化学
- 管辖: 仿真模拟
4楼2012-02-04 22:21:52
