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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 半导体薄膜异质结制备要求
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rhflower

铜虫 (初入文坛)

[求助] 半导体薄膜异质结制备要求

本人刚刚接触半导体材料的制备，想请教一下在制备两种半导体薄膜PN结结构时，对于制备条件是否要求很高？比如是否需要超高真空？是否需要纳米水平的制备技术，例如ALD原子层沉积等。原因是什么，能够保证交界处的良好接触来提高电荷传递效率吗？
     谢谢~~~
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1楼 2012-01-12 12:03:34
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berylmin

禁虫 (小有名气)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
nofrunolif(金币+3): 欢迎交流 2012-01-13 12:21:19
rhflower: 金币+10, ★★★很有帮助 2012-04-04 21:51:55
本帖内容被屏蔽
2楼2012-01-12 20:20:54
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rhflower

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
楼: Originally posted by berylmin at 2012-01-12 20:20:54:
制备条件要求还算高吧~~超高真空的话，看你做什么样的异质结结构了。如果是小分子材料做异质结，是需要真空度比较高的了，如果是聚合物就不需要了，聚合物采用的不是蒸镀的方法，就不需要高真空了。
原因的话，我 ...

十分感谢~
您说的小分子材料是指金属氧化物一类的半导体材料吗？这类氧化物做异质结时的方法如果不是蒸镀的话，比如液相湿法制备能否获得好的异质结构呢？常温常压条件会对异质结构制备有影响吗？
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3楼2012-01-13 09:59:29
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yuan999

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
nofrunolif(金币+2): 欢迎交流 2012-01-13 12:21:29
看材料而定，不同的材料形成pn结要求不同，成膜的技术也非常重要，比如，聚合物一般采用旋涂，喷墨打印等，无机材料可以采用ALD，PLD，磁控溅射等..........
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我~心~依~旧
4楼2012-01-13 11:11:37
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berylmin

禁虫 (小有名气)
本帖内容被屏蔽
5楼2012-01-13 14:19:50
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rhflower

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
楼: Originally posted by berylmin at 2012-01-13 14:19:50:
金属氧化物是小分子的，一般我们实验室采用真空蒸镀的方法。液相湿法制备，我不清楚。异质结在真空还是常温常压下的质量如何，我认为主要取决于材料的稳定性吧~（我的理解）

恩，我现在遇到的问题就是半导体不稳定，想通过形成PN结的同时用N型半导体保护P型半导体，可能是制备技术太差，无法达到保护作用。
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6楼2012-01-17 23:33:36
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lsx2121

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
ALD 在半导体领域，通常制备Al2O3 或氧化铪等高K 材料。
其他: 热阻，电子束 或磁场 ，是真空设备，所以需要较高的真空。
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7楼2012-02-14 02:36:10
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guangliang1388

铁虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
如果是为了保护的话你可以考虑封装啊！
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8楼2012-02-14 08:56:51
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宝宝热爱学习

新虫 (小有名气)
能请问一下什么是封装，如何封装吗？
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9楼2020-05-22 15:51:10
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