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rhflower

铜虫 (初入文坛)

[求助] 半导体薄膜异质结制备要求

本人刚刚接触半导体材料的制备,想请教一下在制备两种半导体薄膜PN结结构时,对于制备条件是否要求很高?比如是否需要超高真空?是否需要纳米水平的制备技术,例如ALD原子层沉积等。原因是什么,能够保证交界处的良好接触来提高电荷传递效率吗?
     谢谢~~~
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berylmin

禁虫 (小有名气)

本帖内容被屏蔽

5楼2012-01-13 14:19:50
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berylmin

禁虫 (小有名气)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
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nofrunolif(金币+3): 欢迎交流 2012-01-13 12:21:19
rhflower: 金币+10, ★★★很有帮助 2012-04-04 21:51:55
本帖内容被屏蔽

2楼2012-01-12 20:20:54
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rhflower

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
: Originally posted by berylmin at 2012-01-12 20:20:54:
制备条件要求还算高吧~~超高真空的话,看你做什么样的异质结结构了。如果是小分子材料做异质结,是需要真空度比较高的了,如果是聚合物就不需要了,聚合物采用的不是蒸镀的方法,就不需要高真空了。
原因的话,我 ...

十分感谢~
您说的小分子材料是指金属氧化物一类的半导体材料吗?这类氧化物做异质结时的方法如果不是蒸镀的话,比如液相湿法制备能否获得好的异质结构呢?常温常压条件会对异质结构制备有影响吗?
3楼2012-01-13 09:59:29
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yuan999

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
nofrunolif(金币+2): 欢迎交流 2012-01-13 12:21:29
看材料而定,不同的材料形成pn结要求不同,成膜的技术也非常重要,比如,聚合物一般采用旋涂,喷墨打印等,无机材料可以采用ALD,PLD,磁控溅射等..........
我~心~依~旧
4楼2012-01-13 11:11:37
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