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半导体薄膜异质结制备要求
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本人刚刚接触半导体材料的制备,想请教一下在制备两种半导体薄膜PN结结构时,对于制备条件是否要求很高?比如是否需要超高真空?是否需要纳米水平的制备技术,例如ALD原子层沉积等。原因是什么,能够保证交界处的良好接触来提高电荷传递效率吗? 谢谢~~~ |
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yuan999
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4楼2012-01-13 11:11:37
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nofrunolif(金币+3): 欢迎交流 2012-01-13 12:21:19
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5楼2012-01-13 14:19:50













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