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半导体薄膜异质结制备要求
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本人刚刚接触半导体材料的制备，想请教一下在制备两种半导体薄膜PN结结构时，对于制备条件是否要求很高？比如是否需要超高真空？是否需要纳米水平的制备技术，例如ALD原子层沉积等。原因是什么，能够保证交界处的良好接触来提高电荷传递效率吗？ 谢谢~~~ |
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nofrunolif(金币+3): 欢迎交流 2012-01-13 12:21:19
rhflower: 金币+10, ★★★很有帮助 2012-04-04 21:51:55
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2楼2012-01-12 20:20:54
3楼2012-01-13 09:59:29
yuan999
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4楼2012-01-13 11:11:37
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5楼2012-01-13 14:19:50
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guangliang1388
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