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rhflower

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[求助] 半导体薄膜异质结制备要求

本人刚刚接触半导体材料的制备，想请教一下在制备两种半导体薄膜PN结结构时，对于制备条件是否要求很高？比如是否需要超高真空？是否需要纳米水平的制备技术，例如ALD原子层沉积等。原因是什么，能够保证交界处的良好接触来提高电荷传递效率吗？
谢谢~~~

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1楼 2012-01-12 12:03:34

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berylmin

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2楼2012-01-12 20:20:54

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rhflower

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引用回帖:

楼: Originally posted by berylmin at 2012-01-12 20:20:54:
制备条件要求还算高吧~~超高真空的话，看你做什么样的异质结结构了。如果是小分子材料做异质结，是需要真空度比较高的了，如果是聚合物就不需要了，聚合物采用的不是蒸镀的方法，就不需要高真空了。
原因的话，我 ...

十分感谢~
您说的小分子材料是指金属氧化物一类的半导体材料吗？这类氧化物做异质结时的方法如果不是蒸镀的话，比如液相湿法制备能否获得好的异质结构呢？常温常压条件会对异质结构制备有影响吗？