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半导体薄膜异质结制备要求
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本人刚刚接触半导体材料的制备，想请教一下在制备两种半导体薄膜PN结结构时，对于制备条件是否要求很高？比如是否需要超高真空？是否需要纳米水平的制备技术，例如ALD原子层沉积等。原因是什么，能够保证交界处的良好接触来提高电荷传递效率吗？ 谢谢~~~ |
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