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[交流] 【活动:文献学习】从一篇PRB文献学习界面建模,静电势分析及按原子层投影DOS分析方法

要学习的文献在附件一中。附件二和三是两篇非常相关的试验文献。
参加文献学习有奖,奖励办法:

(1)根据图文章描述,做出模型来的奖励20~100金币。要求上传cif文件以供评判。以最先上传正确.cif文件的为准。
(2)跟帖讨论,发表对这篇文献的学习心得或者评论意见的,看情况奖励5~20金币。
(3)结合自己的研究课题或者在这篇文献的基础上做合理引申并跟帖讨论的,奖励10~50金币。






[ Last edited by cenwanglai on 2011-12-28 at 10:51 ]
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  • 附件 1 : 要看的.pdf
  • 2011-12-28 10:07:54, 505.67 K
  • 附件 2 : PhysRevLett[1].107.036104.pdf
  • 2011-12-28 10:49:26, 373.12 K
  • 附件 3 : Science-2006-Thiel-1942-5[1].pdf
  • 2011-12-28 10:49:27, 258.79 K

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egogg

木虫 (小有名气)


★ ★
cenwanglai: 回帖置顶 2011-12-28 20:53:48
fzx2008(金币+2): 谢谢回帖交流! 2011-12-28 22:05:11
我说一下我的思路吧,如果不对还请大家多多指教:
1、从ICSD数据库中找到LAO和STO的晶体结构导入到Material Studio中。
2、使用Surface切STO和LAO的表面,并构建相应的超晶胞。
3、使用Build Layers,构建(LAO)(STO)(LAO)层。
4、使用Build Vacuum Slab添加真空层。

疑问:
1、这个过程中,LAO和STO之间的层间距如何调整?
2、LAO和STO之间的层间距如何用Vasp进行优化?
3、STO晶格参数和LAO晶格参数不同,文献用STO做基地,STO晶格变形会产生应力,这个应力怎么计算?
25楼2011-12-28 16:40:50
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引用回帖:
3楼: Originally posted by WDD880227 at 2011-12-28 10:39:37:

mm,还提供了两篇参相关的实验文献,PRL&Science。
5楼2011-12-28 10:57:15
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引用回帖:
5楼: Originally posted by cenwanglai at 2011-12-28 10:57:15:
mm,还提供了两篇参相关的实验文献,PRL&Science。

谢谢~~我下下来看看~~
6楼2011-12-28 11:04:24
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cenwanglai(金币+1):谢谢参与
cenwanglai(金币+10): 谢谢valenhou001提供消息~ 2011-12-28 12:41:26
LaAlO3/SrTiO3界面体系的研究高潮已经快过去。有关这个体系的理论研究的综述可
Electronic Phenomena at Complex Oxide Interfaces: Insights from First Principles  
R. Pentcheva and W. E. Pickett  
J. Phys.: Condens. Matt. 22, 043001 (2010)
。W. E.Pickett组同其合作者对这个体系做的工作远比A. A. Demkov多。A. A. Demkov这个组做的东西都很细致。
9楼2011-12-28 12:34:29
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