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【活动：文献学习】从一篇PRB文献学习界面建模，静电势分析及按原子层投影DOS分析方法
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要学习的文献在附件一中。附件二和三是两篇非常相关的试验文献。参加文献学习有奖，奖励办法：     [ Last edited by cenwanglai on 2011-12-28 at 10:51 ] |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 要看的.pdf
- 附件 2 : PhysRevLett[1].107.036104.pdf
- 附件 3 : Science-2006-Thiel-1942-5[1].pdf
2011-12-28 10:07:54, 505.67 K
2011-12-28 10:49:26, 373.12 K
2011-12-28 10:49:27, 258.79 K
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cenwanglai: 回帖置顶 2011-12-28 20:53:48
fzx2008(金币+2): 谢谢回帖交流！ 2011-12-28 22:05:11
cenwanglai: 回帖置顶 2011-12-28 20:53:48
fzx2008(金币+2): 谢谢回帖交流！ 2011-12-28 22:05:11
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我说一下我的思路吧，如果不对还请大家多多指教： 1、从ICSD数据库中找到LAO和STO的晶体结构导入到Material Studio中。 2、使用Surface切STO和LAO的表面，并构建相应的超晶胞。 3、使用Build Layers，构建(LAO)(STO)(LAO)层。 4、使用Build Vacuum Slab添加真空层。 疑问： 1、这个过程中，LAO和STO之间的层间距如何调整？ 2、LAO和STO之间的层间距如何用Vasp进行优化？ 3、STO晶格参数和LAO晶格参数不同，文献用STO做基地，STO晶格变形会产生应力，这个应力怎么计算？ |
25楼2011-12-28 16:40:50
5楼2011-12-28 10:57:15
6楼2011-12-28 11:04:24
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cenwanglai(金币+1):谢谢参与
cenwanglai(金币+10): 谢谢valenhou001提供消息~ 2011-12-28 12:41:26
cenwanglai(金币+1):谢谢参与
cenwanglai(金币+10): 谢谢valenhou001提供消息~ 2011-12-28 12:41:26
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LaAlO3/SrTiO3界面体系的研究高潮已经快过去。有关这个体系的理论研究的综述可 Electronic Phenomena at Complex Oxide Interfaces: Insights from First Principles R. Pentcheva and W. E. Pickett J. Phys.: Condens. Matt. 22, 043001 (2010) 。W. E.Pickett组同其合作者对这个体系做的工作远比A. A. Demkov多。A. A. Demkov这个组做的东西都很细致。 |
9楼2011-12-28 12:34:29
