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轻轻飘过之

金虫 (正式写手)

[求助] 带电缺陷deltaV的计算

在计算带电缺陷的形成能时需要使价带顶对其,即要加deltaV,请问,这个deltaV是不是中性缺陷中离缺陷最远的那个原子的平均静电势与理想超胞的平均静电势相减即可,还是对每个带电缺陷都要算一个deltaV?我用的是OUTCAR中的每个原子的平均静电势。
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带电掺杂体系形成能

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