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季岩冰

至尊木虫 (正式写手)

小沙弥

[求助] 求教关于金刚石膜刻蚀的问题

RT,
采用氧离子束对CVD金刚石膜进行刻蚀之后,在SEM图中发现在晶粒上出现裂纹,这是为什么?(刻蚀时,基底温度为600度)
然后拉曼光谱中出现了一些除了金刚石特征峰之外的波包,图中已标出了对应的波包的大致位置,但不知道对应的是什么,求解释,最好能有相关的资料或者论文。

刻蚀后1000倍SEM图



刻蚀后Raman图,并标出了对应的波包的大致位置



[ 来自科研家族 材料家族 ]

[ Last edited by 季岩冰 on 2011-11-8 at 19:05 ]
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windyswust

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
Missile521(金币+1): 鼓励回帖交流~ 2011-11-09 16:33:47
季岩冰(金币+5): 谢谢你的回复! 2011-11-09 17:01:44
呵呵 你这个比我的 更奇怪 首先。你制备金刚石的大概的参数。 比如气源,你的金刚石的事超纳米的还是纳米的还是微米的 估计不是微米的 你的 掺杂否?还有 你的1000倍的SEM 看不出来东西吧。氧等离子体一般式用来得到氧终结的,不知道你用氧刻蚀有什么目的,如果你的事纳米金刚石薄膜 里面的SP2相在氧等离子体的影响下很明显。你可以看看D.M. GRUEN关于raman的分析,你的raman G峰飘逸太多了
一步一个脚印
2楼2011-11-09 15:53:15
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季岩冰

至尊木虫 (正式写手)

小沙弥

引用回帖:
2楼: Originally posted by windyswust at 2011-11-09 15:53:15:
呵呵 你这个比我的 更奇怪 首先。你制备金刚石的大概的参数。 比如气源,你的金刚石的事超纳米的还是纳米的还是微米的 估计不是微米的 你的 掺杂否?还有 你的1000倍的SEM 看不出来东西吧。氧等离子体一般式用来得 ...

首先要谢谢你的回复。
这个是以氢气和甲烷作为气源采用MPCVD法制备得到的微米级金刚石膜,不是纳米金刚石膜,纳米膜还在工艺摸索阶段。
为加快生长速率,加入了少量氮气,没有做其他掺杂。
这个是采用回旋离子束刻蚀金刚石膜,用的是氧气,反应离子刻蚀。刻蚀后的SEM图片还有2000倍和5000倍的,不过那只拍出很小一块的。
刻蚀后的位置上有两张Raman,都有后面那些波包,只是稍微有些漂移。。
3楼2011-11-09 17:02:33
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