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lgxyz

铜虫 (正式写手)

[求助] 氧空位CeO2(111)的优化

各位,我最近在优化具有一个氧空位的CeO2(111)负载一个Au原子的结构(Au位于氧空位上),计算吸附能。发现有一个问题:第一次在优化clean的具有一个氧空位的CeO2(111)时是直接从优化过的CeO2体相结构切出(111)面,然后除去一个氧原子,能量为-182.853254eV;第二次是从优化好的Au/Ceo2(111)结构上除去Au原子,再优化,能量为-184.311185eV;二者结构上只是键长键角稍不一样,能量却相差比较大;按道理来讲,应该取能量更低的结构,但是一般我们都是按第一种办法来优化clean的表面。
具有两个氧空位的情况,这两种优化结果能量相差很小。
请教大家是怎样看待这个问题。非常感谢!
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kjsun

木虫 (正式写手)

★ ★
gzqdyouxia(金币+2): 谢谢指教 2011-09-23 12:07:25
引用回帖:
9楼: Originally posted by lgxyz at 2011-09-23 09:34:52:
加了ISYM=0,结果第一种建模方法算的能量为-184.172738eV,与第二种方法的能量(-184.311393eV)相比还是有点差别,但明显比采用默认对称性来算的结果要好一些。请你再给些建议!非常感谢!

是这样的,
CeO2上的每一个氧空位会产生2个多余的电子,
这两个电子会分布在周围的Ce上,形成Ce3+ (原来是Ce4+)
两个电子落位的不同,就会形成不同的结构(仔细观察:Ce3+ -O 的键长比Ce4+-O略长0.15A左右),也就对应的不同的能量。
你这两次运算,应该是碰到了电子的不同的落位了。
10楼2011-09-23 11:54:14
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主


gzqdyouxia(金币+1): 谢谢交流 2011-09-23 11:52:06
引用回帖:
1楼: Originally posted by lgxyz at 2011-09-21 16:39:30:
各位,我最近在优化具有一个氧空位的CeO2(111)负载一个Au原子的结构(Au位于氧空位上),计算吸附能。发现有一个问题:第一次在优化clean的具有一个氧空位的CeO2(111)时是直接从优化过的CeO2体相结构切出(11 ...

总能差别会有这么大?怪哉。第一种情况这算氧空位形成能多大?算算DOS和spin polarized charge density,证实这种差别的存在和合理性。

[ Last edited by cenwanglai on 2011-9-21 at 16:50 ]
2楼2011-09-21 16:49:29
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lgxyz

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by cenwanglai at 2011-09-21 16:49:29:
总能差别会有这么大?怪哉。第一种情况这算氧空位形成能多大?算算DOS和spin polarized charge density,证实这种差别的存在和合理性。
[ Last edited by cenwanglai on 2011-9-21 at 16:50 ]

第一种氧空位的形成能有3.95eV,第二种有2.49eV
3楼2011-09-21 16:53:10
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lgxyz

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by cenwanglai at 2011-09-21 16:49:29:
总能差别会有这么大?怪哉。第一种情况这算氧空位形成能多大?算算DOS和spin polarized charge density,证实这种差别的存在和合理性。
[ Last edited by cenwanglai on 2011-9-21 at 16:50 ]

还有一种情况是同一氧空位吸附不同的金属,优化后,除去金属原子,再来优化具有一个氧空位clean CeO2(111),得到的能量也不一样,相差大概0.13eV,不知道是不是由于我建的slab只有6层原子,厚度不够,导致能量浮动。
4楼2011-09-21 17:02:04
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