24小时热门版块排行榜

>论坛更新日志 (3974)
>虫友互识 (375)
>导师招生 (314)
>文献求助 (268)
>休闲灌水 (164)
>考博 (146)
>论文投稿 (129)
>教师之家 (127)
>基金申请 (102)
>硕博家园 (88)
>考研 (77)
>博后之家 (62)
>论文道贺祈福 (62)
>找工作 (58)
>招聘信息布告栏 (56)
>公派出国 (42)

返回列表

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

wm881204

铜虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 175
帖子: 25
在线: 4.3小时
虫号: 1135786

[交流] 氧空位

请问在用磁控溅射镀制氧化物薄膜的过程中，氧空位一般在什么情况下产生？或者说在什么情况下容易产生氧空位，比方说反应溅射是富余氧或者氧含量少的情况下容易产生氧空位。反之，在直接氧化物靶材的情况下，氧空位又是如何产生的呢？？
先谢过各位了！！

回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

反应磁控溅射

» 猜你喜欢

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴

1楼 2011-09-08 15:30:15

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

怨士无怨

铜虫 (小有名气)

应助: 4 (幼儿园)
金币: 218.7
帖子: 118
在线: 21.1小时
虫号: 1407545

★
wm881204(金币+1):谢谢参与

引用回帖:

1楼: Originally posted by wm881204 at 2011-09-08 15:30:15:
请问在用磁控溅射镀制氧化物薄膜的过程中，氧空位一般在什么情况下产生？或者说在什么情况下容易产生氧空位，比方说反应溅射是富余氧或者氧含量少的情况下容易产生氧空位。反之，在直接氧化物靶材的情况下，氧空位 ...

斑竹的回答已经很到位了补充一点氧空位也可能是与其它缺陷伴生的