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wm881204

铜虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 175
帖子: 25
在线: 4.3小时
虫号: 1135786

[交流] 氧空位

请问在用磁控溅射镀制氧化物薄膜的过程中，氧空位一般在什么情况下产生？或者说在什么情况下容易产生氧空位，比方说反应溅射是富余氧或者氧含量少的情况下容易产生氧空位。反之，在直接氧化物靶材的情况下，氧空位又是如何产生的呢？？
先谢过各位了！！

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1楼 2011-09-08 15:30:15

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kevinman

禁虫 (小有名气)

★
wm881204(金币+1):谢谢参与

本帖内容被屏蔽

5楼2011-10-13 05:38:35

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

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daividyuan

金虫 (著名写手)

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帖子: 1231
在线: 207.1小时
虫号: 1122844

★
wm881204(金币+1):谢谢参与

怎么没人回帖呢，我也学习一下啊

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3楼2011-09-30 10:01:12

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

怨士无怨

铜虫 (小有名气)

应助: 4 (幼儿园)
金币: 218.7
帖子: 118
在线: 21.1小时
虫号: 1407545

★
wm881204(金币+1):谢谢参与

引用回帖:

1楼: Originally posted by wm881204 at 2011-09-08 15:30:15:
请问在用磁控溅射镀制氧化物薄膜的过程中，氧空位一般在什么情况下产生？或者说在什么情况下容易产生氧空位，比方说反应溅射是富余氧或者氧含量少的情况下容易产生氧空位。反之，在直接氧化物靶材的情况下，氧空位 ...

斑竹的回答已经很到位了补充一点氧空位也可能是与其它缺陷伴生的