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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 氧空位
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wm881204

铜虫 (初入文坛)

[交流] 氧空位

请问在用磁控溅射镀制氧化物薄膜的过程中，氧空位一般在什么情况下产生？或者说在什么情况下容易产生氧空位，比方说反应溅射是富余氧或者氧含量少的情况下容易产生氧空位。反之，在直接氧化物靶材的情况下，氧空位又是如何产生的呢？？
先谢过各位了！！
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1楼 2011-09-08 15:30:15
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wm881204

铜虫 (初入文坛)
谢谢各位大神啊
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2楼2011-09-08 15:30:38
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daividyuan

金虫 (著名写手)
★
wm881204(金币+1):谢谢参与
怎么没人回帖呢，我也学习一下啊
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3楼2011-09-30 10:01:12
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liumiao05

至尊木虫 (知名作家)
★
wm881204(金币+1):谢谢参与
同问
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4楼2011-09-30 10:59:46
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kevinman

禁虫 (小有名气)
★
wm881204(金币+1):谢谢参与
本帖内容被屏蔽
5楼2011-10-13 05:38:35
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怨士无怨

铜虫 (小有名气)
★
wm881204(金币+1):谢谢参与
引用回帖:
1楼: Originally posted by wm881204 at 2011-09-08 15:30:15:
请问在用磁控溅射镀制氧化物薄膜的过程中，氧空位一般在什么情况下产生？或者说在什么情况下容易产生氧空位，比方说反应溅射是富余氧或者氧含量少的情况下容易产生氧空位。反之，在直接氧化物靶材的情况下，氧空位 ...

斑竹的回答已经很到位了 补充一点 氧空位也可能是与其它缺陷伴生的
赞一下(1人) 回复此楼
7楼2011-10-14 17:33:45
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yangguihua

铜虫 (初入文坛)
★
wm881204(金币+1):谢谢参与
请问一下：有没有什么试验手段来表征氧空位的多少啊？
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8楼2011-10-20 10:12:02
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qqllqq6楼
2011-10-14 17:14   回复  
wm881204(金币+1):谢谢参与
。
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