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xiaojie7783金虫 (小有名气)
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[求助]
高分求助有关band alignment
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在计算掺杂半导体的能带和态密度时，应该如何处理band alignment的问题呢？ what kind of method do they use to align the band structure between two individual calculations? The band alignment is important to photocatlysis properties, while it is often ignored in many computational works. 这个问题要怎么回答呢？ ps:看到这个说法：the single electron defect energy levels with respect to the VBM are evaluated at the C point and are aligned using core electron energy levels or average potentials away from the defect.有没有高手帮忙解释一下是什么意思呢？使用core electron energy levels 和average potentials away from the defect是相同的意思吗，还是两个不同的方法呢？ 急啊，谢谢大家了。 |
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acridine
木虫 (正式写手)
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【答案】应助回帖
★ ★ ★
franch(金币+3): 谢谢回帖交流 2011-08-30 11:02:25
xiaojie7783(金币+50): 谢谢！ 2011-08-31 20:07:49
franch(金币+3): 谢谢回帖交流 2011-08-30 11:02:25
xiaojie7783(金币+50): 谢谢！ 2011-08-31 20:07:49
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这个应该是文章中比较了不同计算得到的能级的相对高低吧 我对光催化肯定是一窍不通了，就说下自己对这个band alignment的理解吧 由于不同计算时候的能量零点是不固定的，因此不同计算相互比较时，能量差之间的比较还好说，比较绝对能量的时候就需要个校准了，也就是说把两个能带图给align一下。 比如你之后引用的就是两种比较方法：1是认定内层电子能量是固定的，即将两个计算中内层电子能量对齐，再比较缺陷能级。2是认定远离缺陷的电势是一致的，那么就将这个势对齐，再比较缺陷能级别。 举个例子吧，比如计算两个体系A、B，得到的缺陷能级分别为1eV和2eV，但我们不能直接比较说：B中缺陷能级高与A! 需要校准!!! 那么假设在两个计算得到的A、B体系中同一个内层电子的能量分别为－5eV和－2eV，那么将这个能量对齐之后会发现：实际上A的缺陷能级能量反而是更高的。用电势校准的方法也是类似的 这应该就是提问者所谓的align的问题了，至于如何回答这个问题，就得看你用的软件以及当初的处理方法，到底是怎么做的了 |
2楼2011-08-30 00:16:15
cenwanglai
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3楼2011-08-31 21:46:03