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461018249木虫 (小有名气)
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[求助]
高斯荧光计算的几个问题
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1在用CIS算激发态的时候Nstates和root是根据什么规定的？也就说是自己随便写的，还是有什么依据？Nstates和root不同对结果造成了什么影响？ 2激发态优化后做了一个TD，发射波长是f最大的值吗？ Excited State 1: Singlet-A" 2.4036 eV 515.83 nm f=0.0002 9 -> 10 0.65700 This state for optimization and/or second-order correction. Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density.3 这个是什么意思？ 3想看激发的过程，可以用高斯实现吗？ |
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6楼2012-03-19 13:25:33
beefly
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【答案】应助回帖
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gmy1990(金币+3): 非常感谢你对论坛的贡献，奖励一下！ 2011-07-07 23:00:33
461018249(金币+15): 非常的感谢 2011-07-08 08:30:33
gmy1990(金币+3): 非常感谢你对论坛的贡献，奖励一下！ 2011-07-07 23:00:33
461018249(金币+15): 非常的感谢 2011-07-08 08:30:33
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1 root表示你对哪个激发态感兴趣，例如用来做结构优化，进行特性分析，等等。第二个问题中的那段话就是这个意思。 Nstates是让程序猜出Nstates个电子态进行计算。但是达到收敛后，这Nstates个根可能并不是最低的（特别是分子存在较高对称性的时候），所以Nstates需要比实际需要略大一些。例如你想得到前5个激发态，Nstates通常就要取5+2至5*2之间的某个值。 2 f是研究吸收谱强度用的，虽然f的计算公式含有激发能（可以换算成波长），但是和波长没有对应关系。 发射谱强度的计算公式和吸收谱不同，不能用f。需要查发射谱强度公式，通过激发能和跃迁偶极矩计算。也可以通过吸收强度和发射强度公式之间的关系，对f进行换算。 3 “ 9 -> 10”就是激发过程。 |
2楼2011-07-07 22:34:27
461018249
木虫 (小有名气)
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3楼2011-07-08 16:52:56
4楼2011-07-08 17:11:32