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461018249木虫 (小有名气)
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高斯荧光计算的几个问题
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1在用CIS算激发态的时候Nstates和root是根据什么规定的?也就说是自己随便写的,还是有什么依据?Nstates和root不同对结果造成了什么影响? 2激发态优化后做了一个TD,发射波长是f最大的值吗? Excited State 1: Singlet-A" 2.4036 eV 515.83 nm f=0.0002 9 -> 10 0.65700 This state for optimization and/or second-order correction. Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density.3 这个是什么意思? 3想看激发的过程,可以用高斯实现吗? |
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beefly
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【答案】应助回帖
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gmy1990(金币+3): 非常感谢你对论坛的贡献,奖励一下! 2011-07-07 23:00:33
461018249(金币+15): 非常的感谢 2011-07-08 08:30:33
gmy1990(金币+3): 非常感谢你对论坛的贡献,奖励一下! 2011-07-07 23:00:33
461018249(金币+15): 非常的感谢 2011-07-08 08:30:33
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1 root表示你对哪个激发态感兴趣,例如用来做结构优化,进行特性分析,等等。第二个问题中的那段话就是这个意思。 Nstates是让程序猜出Nstates个电子态进行计算。但是达到收敛后,这Nstates个根可能并不是最低的(特别是分子存在较高对称性的时候),所以Nstates需要比实际需要略大一些。例如你想得到前5个激发态,Nstates通常就要取5+2至5*2之间的某个值。 2 f是研究吸收谱强度用的,虽然f的计算公式含有激发能(可以换算成波长),但是和波长没有对应关系。 发射谱强度的计算公式和吸收谱不同,不能用f。需要查发射谱强度公式,通过激发能和跃迁偶极矩计算。也可以通过吸收强度和发射强度公式之间的关系,对f进行换算。 3 “ 9 -> 10”就是激发过程。 |

2楼2011-07-07 22:34:27
461018249
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3楼2011-07-08 16:52:56
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beefly
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没人要求必须在CIS之后必须做TD。之所以很多文章这么做,是因为老版本的Gaussian没有TD方法的解析梯度,用数值梯度优化多原子分子的激发态非常慢。所以不得不改用有解析梯度的CIS做激发态结构优化,然后在优化的激发态结构上,用TD算单点激发能,也就是发射谱峰位的能量。Gassian09的TD已经有了解析梯度(其实还有其它一些程序也有TD解析梯度,但是很少有人去关注),就没有必要用CIS做优化了。 第一激发态、第二激发态、...都是根据激发能排序,和强度无关。但是在量子化学计算广泛应用之前,只能通过实验方法,对跃迁允许的电子态进行编号,一些跃迁禁戒的电子态就漏掉了。 |

5楼2011-07-08 22:34:26
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小范范1989
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您好,我是看到你在回复荧光计算的时候的帖子,我想咨询一下,我的问题在http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=7928054 能否帮忙解答一下?谢谢你,beefly大神。 |

7楼2014-09-21 16:38:25













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