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木虫 (小有名气)

[求助] 高斯荧光计算的几个问题

1在用CIS算激发态的时候Nstates和root是根据什么规定的?也就说是自己随便写的,还是有什么依据?Nstates和root不同对结果造成了什么影响?
2激发态优化后做了一个TD,发射波长是f最大的值吗?
Excited State   1:   Singlet-A"     2.4036 eV  515.83 nm  f=0.0002
       9 -> 10         0.65700
This state for optimization and/or second-order correction.
Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density.3
这个是什么意思?
3想看激发的过程,可以用高斯实现吗?
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木虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by beefly at 2011-07-07 22:34:27:
1
root表示你对哪个激发态感兴趣,例如用来做结构优化,进行特性分析,等等。第二个问题中的那段话就是这个意思。
Nstates是让程序猜出Nstates个电子态进行计算。但是达到收敛后,这Nstates个根可能并不是最低的 ...

谢谢你,可是我还是有点不太明白,在算CIS的前后都要做TD,前一个是吸收光谱(吸收光谱是激发光谱吗?)
上面的那个为什么excited states 1为什么f值都是特别的小  如果要是读谱图的话是不是读excited states 1,还是读最大的值
谢谢高手指教
3楼2011-07-08 16:52:56
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