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li_qun

铜虫 (著名写手)

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[求助] 想用comsol解泊松方程，却不知道怎么设边界条件

想计算半导体中带电位错的电势分布，并考虑屏蔽效应。这是一个非线性的偏微分方程，用的一般形式的PDE方程。所建模型如图，之所以分成三层是因为各层的电荷密度不同，中间部分的表示位错，上面带有一定密度的电荷，我能想到的边界条件是：在圆柱模型的侧面，带电位错的库伦势已经完全被屏蔽，侧面上的电势为0。但是两个底面怎么处理呢？还有，在一般形式PDE方程边界条件设置中，里面的系数不知道是什么意思，我能理解的边界条件就是u=？du/dn=?这里的系数g、r是什么意思呢？该怎么填呢？很外行，请不吝赐教，或者这方面需要看什么样的书，希望得到一些建议。感激涕零！

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1楼2011-06-16 16:59:55

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cae9219

金虫 (正式写手)

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引用回帖:

7楼: Originally posted by fzl6307663 at 2015-11-09 15:45:40
不知道你的半导体PDE是什么。但如果在COMSOL的 “Select Physics”界面中前几项中找不到你的半导体偏微分方程所对应的物理问题类型的，那么你可以选最后一项“Mathmatics”,来自己输入你的PDE,这样就可以用COMSOL来 ...

You can use weak form PDE