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li_qun

铜虫 (著名写手)

[求助] 想用comsol解泊松方程，却不知道怎么设边界条件

想计算半导体中带电位错的电势分布，并考虑屏蔽效应。这是一个非线性的偏微分方程，用的一般形式的PDE方程。所建模型如图，之所以分成三层是因为各层的电荷密度不同，中间部分的表示位错，上面带有一定密度的电荷，我能想到的边界条件是：在圆柱模型的侧面，带电位错的库伦势已经完全被屏蔽，侧面上的电势为0。但是两个底面怎么处理呢？还有，在一般形式PDE方程边界条件设置中，里面的系数不知道是什么意思，我能理解的边界条件就是u=？du/dn=?这里的系数g、r是什么意思呢？该怎么填呢？很外行，请不吝赐教，或者这方面需要看什么样的书，希望得到一些建议。感激涕零！
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1楼 2011-06-16 16:59:55
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fzl6307663

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by cqzlihaiming at 2012-03-15 13:03:20
我也想知道这半导体的偏微分方程在comsol中该如何解，是不是可以直接输入偏微分？请高人指导！

不知道你的半导体PDE是什么。但如果在COMSOL的 “Select Physics”界面中前几项中找不到你的半导体偏微分方程所对应的物理问题类型的，那么你可以选最后一项“Mathmatics”,来自己输入你的PDE,这样就可以用COMSOL来接自定义PDE了.
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7楼2015-11-09 15:45:40
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cgch

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
臭水沟(金币+1): 谢谢应助~~ 2011-06-21 08:57:25
li_qun(金币+50): 金币给你吧，问题是我不知道边界上式啥情况啊 2011-06-22 19:04:32
侧面你都确定了电势值了，所以是第一类边界条件，也就是Dirichlet boundary condition

至于你的上下面，你的问题是什么边界，就设什么边界，第二类边界条件是指，微分值。
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Stupid_is_as_stupid_does
2楼2011-06-21 05:37:03
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cgch

木虫 (正式写手)
惭愧，这个没法回答你了。

这个是你的问题的物理背景决定的。如果具体物理现象搞明白了，你应该能够写出你的边界条件
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Stupid_is_as_stupid_does
3楼2011-06-22 21:16:19
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li_qun

铜虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by cgch at 2011-06-22 21:16:19:
惭愧，这个没法回答你了。

这个是你的问题的物理背景决定的。如果具体物理现象搞明白了，你应该能够写出你的边界条件

是啊，我应该知道才对
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4楼2011-06-22 22:53:02
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