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想用comsol解泊松方程，却不知道怎么设边界条件
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想计算半导体中带电位错的电势分布，并考虑屏蔽效应。这是一个非线性的偏微分方程，用的一般形式的PDE方程。所建模型如图，之所以分成三层是因为各层的电荷密度不同，中间部分的表示位错，上面带有一定密度的电荷，我能想到的边界条件是：在圆柱模型的侧面，带电位错的库伦势已经完全被屏蔽，侧面上的电势为0。但是两个底面怎么处理呢？还有，在一般形式PDE方程边界条件设置中，里面的系数不知道是什么意思，我能理解的边界条件就是u=？du/dn=?这里的系数g、r是什么意思呢？该怎么填呢？很外行，请不吝赐教，或者这方面需要看什么样的书，希望得到一些建议。感激涕零！  |
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