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li_qun

铜虫 (著名写手)

[求助] 想用comsol解泊松方程，却不知道怎么设边界条件

想计算半导体中带电位错的电势分布，并考虑屏蔽效应。这是一个非线性的偏微分方程，用的一般形式的PDE方程。所建模型如图，之所以分成三层是因为各层的电荷密度不同，中间部分的表示位错，上面带有一定密度的电荷，我能想到的边界条件是：在圆柱模型的侧面，带电位错的库伦势已经完全被屏蔽，侧面上的电势为0。但是两个底面怎么处理呢？还有，在一般形式PDE方程边界条件设置中，里面的系数不知道是什么意思，我能理解的边界条件就是u=？du/dn=?这里的系数g、r是什么意思呢？该怎么填呢？很外行，请不吝赐教，或者这方面需要看什么样的书，希望得到一些建议。感激涕零！
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1楼 2011-06-16 16:59:55
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cgch

木虫 (正式写手)
惭愧，这个没法回答你了。

这个是你的问题的物理背景决定的。如果具体物理现象搞明白了，你应该能够写出你的边界条件
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Stupid_is_as_stupid_does
3楼2011-06-22 21:16:19
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cgch

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
臭水沟(金币+1): 谢谢应助~~ 2011-06-21 08:57:25
li_qun(金币+50): 金币给你吧，问题是我不知道边界上式啥情况啊 2011-06-22 19:04:32
侧面你都确定了电势值了，所以是第一类边界条件，也就是Dirichlet boundary condition

至于你的上下面，你的问题是什么边界，就设什么边界，第二类边界条件是指，微分值。
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Stupid_is_as_stupid_does
2楼2011-06-21 05:37:03
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li_qun

铜虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by cgch at 2011-06-22 21:16:19:
惭愧，这个没法回答你了。

这个是你的问题的物理背景决定的。如果具体物理现象搞明白了，你应该能够写出你的边界条件

是啊，我应该知道才对
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4楼2011-06-22 22:53:02
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cqzlihaiming

新虫 (初入文坛)
我也想知道这半导体的偏微分方程在comsol中该如何解，是不是可以直接输入偏微分？请高人指导！
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5楼2012-03-15 13:03:20
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