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li_qun

铜虫 (著名写手)

[求助] 想用comsol解泊松方程,却不知道怎么设边界条件

想计算半导体中带电位错的电势分布,并考虑屏蔽效应。这是一个非线性的偏微分方程,用的一般形式的PDE方程。所建模型如图,之所以分成三层是因为各层的电荷密度不同,中间部分的表示位错,上面带有一定密度的电荷,我能想到的边界条件是:在圆柱模型的侧面,带电位错的库伦势已经完全被屏蔽,侧面上的电势为0。但是两个底面怎么处理呢?还有,在一般形式PDE方程边界条件设置中,里面的系数不知道是什么意思,我能理解的边界条件就是u=?du/dn=?这里的系数g、r是什么意思呢?该怎么填呢?很外行,请不吝赐教,或者这方面需要看什么样的书,希望得到一些建议。感激涕零!


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cqzlihaiming

新虫 (初入文坛)

我也想知道这半导体的偏微分方程在comsol中该如何解,是不是可以直接输入偏微分?请高人指导!
5楼2012-03-15 13:03:20
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cgch

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


臭水沟(金币+1): 谢谢应助~~ 2011-06-21 08:57:25
li_qun(金币+50): 金币给你吧,问题是我不知道边界上式啥情况啊 2011-06-22 19:04:32
侧面你都确定了电势值了,所以是第一类边界条件,也就是Dirichlet boundary condition

至于你的上下面,你的问题是什么边界,就设什么边界,第二类边界条件是指,微分值。
Stupid_is_as_stupid_does
2楼2011-06-21 05:37:03
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cgch

木虫 (正式写手)

惭愧,这个没法回答你了。

这个是你的问题的物理背景决定的。如果具体物理现象搞明白了,你应该能够写出你的边界条件
Stupid_is_as_stupid_does
3楼2011-06-22 21:16:19
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li_qun

铜虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by cgch at 2011-06-22 21:16:19:
惭愧,这个没法回答你了。

这个是你的问题的物理背景决定的。如果具体物理现象搞明白了,你应该能够写出你的边界条件

是啊,我应该知道才对
4楼2011-06-22 22:53:02
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