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诚问怎么给空位加电荷?
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wwgaochao
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诚问怎么给空位加电荷?
如果一个空位带负电,该怎么给它加上电荷呢?比如一个硅晶胞中的一个空位带负电,是在这个空位的四个最近邻原子上加正电荷吗?体系的电中性怎么保证?
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2011-04-23 21:39:54
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★
mazuju028(金币+1): 谢谢交流 2011-04-24 21:44:26
MS不知如何加,没用过MS。VASP可以。
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2楼
2011-04-24 12:19:59
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【答案】应助回帖
★
franch(金币+1): 谢谢指点 2011-04-24 21:17:02
wwgaochao(金币+2): 印象中MS给缺陷附加电荷后,体系中其他原子会自动加点亮相反的均匀分布的电荷,但自己尝试了下却发现其他电荷的电量并无变化 2011-04-24 22:11:27
算法自动完成电中性的要求。软件会自动加一个电量相反的均匀分布的背景电荷。
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7楼
2011-04-24 19:06:50
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★
franch(金币+1): 有链接否? 2011-04-25 21:45:59
引用回帖:
Originally posted by
franch
at 2011-04-24 21:18:43:
以上论点有出处吗?
哦用VASP和另外一个S/PHINx/的,
手册上说明的。此外,不加补偿电荷,电子自洽难收敛。
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12楼
2011-04-24 23:32:52
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★
franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-04-25 21:47:23
引用回帖:
Originally posted by
phys
at 2011-04-24 22:54:24:
当然知道具有缺陷以后具有相应的电活性,问题是为什么一定认为是那个空位置上面带电呢?这个缺陷本身是个虚无的位置,其效应必定是体作用的结果,那么我认为体设置电荷就够了,没必要非强加在那个所谓的空穴上 ...
SCF,看自洽的电荷密度。
换一个角度讲,你加多余的电荷进去,除了缺陷原子周围,其他原子周围环境美改变,那么这个多余的电荷就不可能分布在正常的晶格原子周围,所以这多余的电荷在缺陷处。
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13楼
2011-04-24 23:36:57
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cenwanglai(金币+2): 欢迎stractor常来讨论。还好吧? 2011-04-26 09:08:26
引用回帖:
Originally posted by
cavediger
at 2011-04-25 06:20:25:
vasp能指定加入电荷位置吗?应该是加到整个体系上,然后自洽到考察的可能位置上吧?
VASP建模的时候不能指定多余的电荷在空间什么位置,但自洽后多余的电荷载晶格缺陷位置。你可以SCF后比较带电的缺陷和不打电荷在缺陷位置出的电荷密度图。
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17楼
2011-04-26 04:46:03
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