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【求助】关于表面建模
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zhang668
木虫
(正式写手)
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(小学生)
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帖子: 843
在线: 324.9小时
虫号: 733242
[交流]
【求助】关于表面建模
关于MS表面建模的两种方法,一个是 由build>Surfaces>cleave Surfaces.
在对话框中输入要建立的晶面(hkl),选择position。build>Crystals>build vaccum slab。优点是可以自由设置真空层厚度,缺点是cleave Surfaces时切出的表面那层原子总是没掉,这样出现两个表面终端层不一样,即原子层没有镜面对称。
第二个是直接建超胞,然后删掉几层原子作为真空层。这种方法建模快,可以保持原子层为几个晶胞。缺点就是真空层厚度(与原子层比例)固定。
对于第二种来说,测试原子层和真空层厚度时候比较简单,第一种稍微复杂点。
想问下大家常用的是哪种方法?还有测试厚度和K点的时候,一般以总能为收敛标准还是功函数?
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2011-04-08 21:43:17
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sunyang1988
至尊木虫
(著名写手)
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帖子: 1744
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虫号: 965316
★
小木虫(金币
+0.5
):给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
Originally posted by
susie8642
at 2011-04-09 21:10:06:
非常感谢您!我现在想建立一个单晶硅的表面,但是需要建立的比较大,60个原子左右,这样子的话,收敛测试就会非常耗时,我想请教一下,这种情况,单个晶胞的收敛性测试可以拿来用吗?
计算表面要单独做真空层厚度的收敛测试,一般10Angstrom就可以
截断能量与K点密度(垂直于表面方向一个K点就可以)可以用体相的,不过要求在这个条件下体相能量可以收敛到非常高的标准,具体可以看手册
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15楼
2011-05-23 18:54:40
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phys
木虫
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★ ★
zhang668(金币
+1
):谢谢参与
bingmou(金币+1): 感谢交流! 2011-04-08 22:57:44
个人认为这两种方法是一样的,不果一个是人为的,一个是机器帮你切,实际上自己切也一样
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2楼
2011-04-08 22:40:35
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susie8642
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★
zhang668(金币
+1
):谢谢参与
引用回帖:
Originally posted by
phys
at 2011-04-08 22:40:35:
个人认为这两种方法是一样的,不果一个是人为的,一个是机器帮你切,实际上自己切也一样
这种建立表面,如果体系较大,怎么进行收敛性测试呢?会不会需要测试超久时间呢?
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3楼
2011-04-09 11:44:22
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liusanbing
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虫号: 337673
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zhang668(金币
+1
):谢谢参与
先用精度低的测试看看
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4楼
2011-04-09 12:20:14
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