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lcljldx

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】请问如何测量禁带宽度？电学方法准确，还是光学方法准确？

测量禁带宽度的方法有很多种，例如：C60是一种直接带隙半导体，带隙宽度理论计算为1.5eV ， 电学变温实验测量为1.6eV ，紫外吸收谱观察为1.74eV ，1.5-2.0eV，光电效应 1.9 eV，光激发谱测量为1.7eV，Auger谱测量为2.3eV。
    可是那种方法测量的是准确的呢？光学方法准呢？还是电学方法准呢？它们之间有什么区别与联系吗？请高手指点，在此表示感激。
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1楼 2011-03-31 22:08:37
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20002504

至尊木虫 (知名作家)
lcljldx(金币+1): 2011-04-25 20:10:15
引用回帖:
Originally posted by cord at 2011-04-01 03:45:42:
各种测试手段都有局限性，有的只是测量了材料表面层部分，并不能代表材料体特性。

光学！
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7楼2011-04-02 13:32:51
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GrasaVampiro

专家顾问 (职业作家)
lcljldx(金币+1): 2011-04-01 09:29:34
lcljldx(金币+2): 2011-04-25 20:10:47
各种测试手段条件一样吗？这才是问题所在
赞一下 回复此楼
2楼2011-03-31 23:16:45
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cord

铁杆木虫 (著名写手)
lcljldx(金币+1): 2011-04-01 09:29:49
lcljldx(金币+1): 2011-04-25 20:10:39
各种测试手段都有局限性，有的只是测量了材料表面层部分，并不能代表材料体特性。
赞一下 回复此楼
3楼2011-04-01 03:45:42
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chinawhirl

木虫 (小有名气)
lcljldx(金币+1): 2011-04-01 09:29:54
lcljldx(金币+1): 2011-04-25 20:10:33
光学方法相对准确些
赞一下 回复此楼
4楼2011-04-01 07:33:48
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