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【求助】请问如何测量禁带宽度？电学方法准确，还是光学方法准确？
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测量禁带宽度的方法有很多种，例如：C60是一种直接带隙半导体，带隙宽度理论计算为1.5eV ， 电学变温实验测量为1.6eV ，紫外吸收谱观察为1.74eV ，1.5-2.0eV，光电效应 1.9 eV，光激发谱测量为1.7eV，Auger谱测量为2.3eV。 可是那种方法测量的是准确的呢？光学方法准呢？还是电学方法准呢？它们之间有什么区别与联系吗？请高手指点，在此表示感激。 |
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 金属氧化物-wy | 催化 | 发光与发光计算 |
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