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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 设计与制备 » 关于SiO2的问题
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月下冰魂

木虫 (正式写手)

[交流] 关于SiO2的问题

SiGe合金上有100-200nm的SiO2。用HF想完全腐蚀掉SiO2层，但是尽可能不腐蚀SiGe合金。腐蚀的速度虽然可以经验得出，但是不精确，能否有一个简单、廉价的测试方法测试表面的SiO2完全腐蚀掉了？？或者寻找新的腐蚀液以不伤害SiGe合金呢？？求助哦。。。
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1楼 2011-03-25 17:28:27
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ahwolfking

金虫 (小有名气)
★
zhaohaixing(金币+1): 鼓励新虫作答！ 2011-03-30 11:04:16
月下冰魂(金币+1): 谢谢知道，我去试一试 2011-03-31 18:34:33
如果是真空中，可以试试氩刻，我们平时长的氧化物薄膜可以刻掉，但要花点时间。至于SiO2有没有除完，可以通过XPS检查。如果成功，可以得到很干净的表面。
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2楼2011-03-29 17:05:42
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lzdxn

木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
可以用几份试样用HF分不同时间去除二氧化硅，再用XRD检测。
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3楼2011-04-22 08:33:24
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bible2

版主 (职业作家)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
做一个能谱,看看有没有O的峰?
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4楼2011-04-28 22:20:31
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