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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 理论物理&天文 » 【求助】关于带隙加宽问题
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632647196

铁虫 (著名写手)

[交流] 【求助】关于带隙加宽问题

请问为什么对硅基材料掺以原子序数小的O、N、C元素，可以加宽带隙？
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1楼 2011-02-28 22:09:05
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sqking

金虫 (正式写手)
★ ★
夕阳西下(金币+2): 鼓励一下 2011-03-01 20:41:33
632647196(金币+1): 鼓励一下 2011-03-02 09:33:21
引用回帖:
Originally posted by 632647196 at 2011-02-28 22:09:05:
请问为什么对硅基材料掺以原子序数小的O、N、C元素，可以加宽带隙？

掺了O，N，C等原子序数小的元素不就相当于Si中掺了带隙更宽的SiO2，Si3N4，SiC嘛，所以带隙可以加宽。从能带理论角度看，掺了O，N，C等原子序数小的元素，它们的电子能级都比Si的要低，这就将导致硅基材料的价带位置下移，从而表现出带隙加宽。
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2楼2011-03-01 13:28:42
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632647196

铁虫 (著名写手)
多谢
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3楼2011-03-02 09:55:21
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