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铁虫 (著名写手)

[交流] 【求助】关于带隙加宽问题

请问为什么对硅基材料掺以原子序数小的O、N、C元素，可以加宽带隙？

1楼 2011-02-28 22:09:05

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金虫 (正式写手)

★ ★
夕阳西下(金币+2): 鼓励一下 2011-03-01 20:41:33
632647196(金币+1): 鼓励一下 2011-03-02 09:33:21

引用回帖:

Originally posted by 632647196 at 2011-02-28 22:09:05:
请问为什么对硅基材料掺以原子序数小的O、N、C元素，可以加宽带隙？

掺了O，N，C等原子序数小的元素不就相当于Si中掺了带隙更宽的SiO2，Si3N4，SiC嘛，所以带隙可以加宽。从能带理论角度看，掺了O，N，C等原子序数小的元素，它们的电子能级都比Si的要低，这就将导致硅基材料的价带位置下移，从而表现出带隙加宽。

2楼2011-03-01 13:28:42

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铁虫 (著名写手)

多谢

3楼2011-03-02 09:55:21

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