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zhongaihua新虫 (小有名气)
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[交流]
【交流】磁控溅射中阳极罩与靶材之间的距离选择 已有9人参与
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本人刚开始用磁控溅射制备ZnO薄膜。我用的是射频源，非反应磁控溅射在普通硅酸盐玻璃衬底上制备ZnO薄膜。制备条件为：衬底加热100度，工作气压0.8pa，溅射功率200W，距离是8cm左右，自偏压是50V左右。溅射了一个小时左右，居然没有沉积出薄膜来，有没高人指点一下怎么回事呢？ 我怀疑是靶材上面的阳极罩与靶材之间的距离不对。我选用的是刚好不短路。请问有没人知道阳极罩与靶材之间的距离该怎么选择呢？大家一起来讨论一下吧 |
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 有价值 | 呵呵 |
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