【摘要】：用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V)。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。
【作者单位】： 中国科学院激发态物理重点实验室 中国科学院激发态物理重点实验室 中国科学院激发态物理重点实验室 中国科学院激发态物理重点实验室 中国科学院激发态物理重点实验室 中国科学院激发态物理重点实验室 中国科学院激发态物理重点实验室 中国科学院激发态物理重点实验室
【关键词】： ZnO薄膜 p型掺杂 p-n同质结 分子束外延
【基金】：国家自然科学重点基金(60336020) 国家“863”计划,新材料领域(2001AA311120) 中国科学院二期创新项目和国家自然科学基金(60176003,60278031,60376009)资助项目
【分类号】：TN312.8;
【DOI】：CNKI:SUN:FGXB.0.2005-04-025
【正文快照】：
1引言近几年来,ZnO被认为是紫外发光和激光器件的候选材料,而被广泛的关注[1~4]。与同为宽带隙的GaN相比,ZnO具有大的激子束缚能和相对丰富的资源,因此被认为是一种更有前景的短波长发光器件的材料。目前,许多研究小组都报道获得了p型ZnO薄膜[5,7],但对于ZnO同质结发光二极管 |
回复此楼
+1/171
