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【请教】磁控溅射,多孔基体应该用直靶?斜靶?
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connie3625
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[交流]
【请教】磁控溅射,多孔基体应该用直靶?斜靶?
想做磁控溅射,在基体上长点东西,刚问了问一个地方能做,但是他们的设备是斜靶的,说往多孔材料上沉积不太好。
我的基体有20-30纳米的小孔,想均匀沉积点Si,孔里也沉上,不知道虫子们了不了解用哪种工艺好一点。
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jinjie_led
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connie3625(金币+1): 2010-12-02 22:10:52
孔太小,有可能会堵上。
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2010-12-02 17:02:50
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jinxiaoyun
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connie3625(金币+1): 2010-12-02 22:10:55
孔太小会堵上的,一般高径比超过3就会堵上了。。我也要往孔里沉积东西,真愁着呢。。。
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3楼
2010-12-02 20:28:53
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connie3625
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引用回帖:
Originally posted by
jinxiaoyun
at 2010-12-02 20:28:53:
孔太小会堵上的,一般高径比超过3就会堵上了。。我也要往孔里沉积东西,真愁着呢。。。
我的孔不深,高度跟宽度差不多,我还没试过,你用磁控溅射做过了吗?
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4楼
2010-12-02 22:11:41
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jinxiaoyun
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Originally posted by
connie3625
at 2010-12-02 22:11:41:
我的孔不深,高度跟宽度差不多,我还没试过,你用磁控溅射做过了吗?
那你可以试试哈,我从文献上见过用溅射沉积30nm左右的。我没做过, 我在用电沉积,沉积不上呢 ,悲剧
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5楼
2010-12-03 11:24:51
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磁控溅射没问题
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2010-12-04 16:23:41
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降低溅射功率,增大偏压
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7楼
2010-12-08 14:16:22
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