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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 【请教】磁控溅射，多孔基体应该用直靶？斜靶？
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connie3625

木虫 (正式写手)

[交流] 【请教】磁控溅射，多孔基体应该用直靶？斜靶？

想做磁控溅射，在基体上长点东西，刚问了问一个地方能做，但是他们的设备是斜靶的，说往多孔材料上沉积不太好。
我的基体有20-30纳米的小孔，想均匀沉积点Si，孔里也沉上，不知道虫子们了不了解用哪种工艺好一点。
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1楼 2010-12-02 16:46:58
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380677864

木虫 (正式写手)
降低溅射功率，增大偏压
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7楼2010-12-08 14:16:22
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jinjie_led

金虫 (初入文坛)
connie3625(金币+1): 2010-12-02 22:10:52
孔太小，有可能会堵上。
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2楼2010-12-02 17:02:50
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jinxiaoyun

木虫 (正式写手)
connie3625(金币+1): 2010-12-02 22:10:55
孔太小会堵上的，一般高径比超过3就会堵上了。。我也要往孔里沉积东西，真愁着呢。。。
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3楼2010-12-02 20:28:53
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connie3625

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by jinxiaoyun at 2010-12-02 20:28:53:
孔太小会堵上的，一般高径比超过3就会堵上了。。我也要往孔里沉积东西，真愁着呢。。。

我的孔不深，高度跟宽度差不多，我还没试过，你用磁控溅射做过了吗？
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4楼2010-12-02 22:11:41
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