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木虫 (正式写手)

[交流] 【请教】磁控溅射，多孔基体应该用直靶？斜靶？

想做磁控溅射，在基体上长点东西，刚问了问一个地方能做，但是他们的设备是斜靶的，说往多孔材料上沉积不太好。
我的基体有20-30纳米的小孔，想均匀沉积点Si，孔里也沉上，不知道虫子们了不了解用哪种工艺好一点。

1楼 2010-12-02 16:46:58

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木虫 (正式写手)

connie3625(金币+1): 2010-12-02 22:10:55

孔太小会堵上的，一般高径比超过3就会堵上了。。我也要往孔里沉积东西，真愁着呢。。。

3楼2010-12-02 20:28:53

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木虫 (正式写手)

引用回帖:

Originally posted by connie3625 at 2010-12-02 22:11:41:

我的孔不深，高度跟宽度差不多，我还没试过，你用磁控溅射做过了吗？

那你可以试试哈，我从文献上见过用溅射沉积30nm左右的。我没做过，我在用电沉积，沉积不上呢，悲剧

5楼2010-12-03 11:24:51

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