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【求助】CVD 制备graphene, NI膜是E-beam Sputter 热蒸发 还是直接用Ni合金好?
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【求助】CVD 制备graphene, NI膜是E-beam Sputter 热蒸发 还是直接用Ni合金好?
非常感谢~~
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2010-09-13 21:50:07
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lvyiyilv(金币+1): 2010-09-14 10:56:03
啥CVD?
单层graphene?
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2010-09-14 08:08:05
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lvyiyilv(金币+1): 2010-09-14 10:52:11
建议你用Cu基底,Cu可以诱导只生长一层石墨烯,Ni就不行了,在Ni基底上会生长多层,而其C在Cu里面的溶解度要小与在Ni里面的溶解度。
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2010-09-14 10:32:53
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铜的熔点太低
每次长完管子里都很脏
还得用低压~
我的工作不需要非得用单层
E-beam的Ni表面感觉很差
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Originally posted by
羽觞卣尊
at 2010-09-14 10:32:53:
建议你用Cu基底,Cu可以诱导只生长一层石墨烯,Ni就不行了,在Ni基底上会生长多层,而其C在Cu里面的溶解度要小与在Ni里面的溶解度。
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2010-09-14 10:53:33
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Originally posted by
xiaohaiyan
at 2010-09-14 08:08:05:
啥CVD?
单层graphene?
普通CVD
不需要单层
希望graphene连续,片大
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2010-09-14 10:54:22
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lvyiyilv(金币+2): 2010-09-14 12:04:27
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Originally posted by
lvyiyilv
at 2010-09-14 10:54:22:
普通CVD
不需要单层
希望graphene连续,片大
最近刚用微波等离子CVD(最古老的那种,当年用来做金刚石膜的),
做了一些这方面的实验。
在无催化剂及基板特殊处理的情况下,
发现很多基板都可以用来长多层石墨烯(单层到十几层得都有),
楼上的几个朋友提到的Cu片可以,FeNi合金也可以,当然Si基板也行。
所生长的graphene层的结构大致一样,但还是有不同之处。
因为机理尚在探索之中,所以目前还没有给出解释。
上面有朋友提到反应管会变黑,我在实验的过程中也发现了这个问题,
通过调节混合气体的流量比,可以得到石墨烯,同时保持玻璃管的清洁。
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2010-09-14 11:48:40
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要是能直接长在绝缘基底上那就爽了
不用转移那么麻烦
你长出来的会不会是积碳啊?
不过碳管都可以无催化剂制备,graphene应该也可以
引用回帖:
Originally posted by
xiaohaiyan
at 2010-09-14 11:48:40:
最近刚用微波等离子CVD(最古老的那种,当年用来做金刚石膜的),
做了一些这方面的实验。
在无催化剂及基板特殊处理的情况下,
发现很多基板都可以用来长多层石墨烯(单层到十几层得都有),
楼上的几个朋 ...
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2010-09-14 12:07:16
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lvyiyilv
at 2010-09-14 12:07:16:
要是能直接长在绝缘基底上那就爽了
不用转移那么麻烦
你长出来的会不会是积碳啊?
不过碳管都可以无催化剂制备,graphene应该也可以
如何判断是否是积碳?
试验过程中发现调节工作气压,可得到多壁碳管。
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2010-09-14 14:23:03
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应该看看D峰吧
你这个强大啊
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Originally posted by
xiaohaiyan
at 2010-09-14 14:23:03:
如何判断是否是积碳?
试验过程中发现调节工作气压,可得到多壁碳管。
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2010-09-14 16:19:01
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