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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【求助】CVD 制备graphene, NI膜是E-beam Sputter 热蒸发 还是直接用Ni合金好？
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楼1970-01-01 08:00:00
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xiaohaiyan

木虫 (正式写手)
lvyiyilv(金币+2): 2010-09-14 12:04:27
引用回帖:
Originally posted by lvyiyilv at 2010-09-14 10:54:22:


普通CVD
不需要单层
希望graphene连续，片大

最近刚用微波等离子CVD(最古老的那种，当年用来做金刚石膜的)，
做了一些这方面的实验。
在无催化剂及基板特殊处理的情况下，
发现很多基板都可以用来长多层石墨烯（单层到十几层得都有），
楼上的几个朋友提到的Cu片可以，FeNi合金也可以，当然Si基板也行。
所生长的graphene层的结构大致一样，但还是有不同之处。
因为机理尚在探索之中，所以目前还没有给出解释。

上面有朋友提到反应管会变黑，我在实验的过程中也发现了这个问题，
通过调节混合气体的流量比，可以得到石墨烯，同时保持玻璃管的清洁。
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6楼2010-09-14 11:48:40
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xiaohaiyan

木虫 (正式写手)
lvyiyilv(金币+1): 2010-09-14 10:56:03
啥CVD?
单层graphene?
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2楼2010-09-14 08:08:05
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羽觞卣尊

铁杆木虫 (职业作家)
lvyiyilv(金币+1): 2010-09-14 10:52:11
建议你用Cu基底，Cu可以诱导只生长一层石墨烯，Ni就不行了，在Ni基底上会生长多层，而其C在Cu里面的溶解度要小与在Ni里面的溶解度。
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3楼2010-09-14 10:32:53
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lvyiyilv

木虫 (职业作家)
铜的熔点太低
每次长完管子里都很脏
还得用低压~

我的工作不需要非得用单层
E-beam的Ni表面感觉很差
引用回帖:
Originally posted by 羽觞卣尊 at 2010-09-14 10:32:53:
建议你用Cu基底，Cu可以诱导只生长一层石墨烯，Ni就不行了，在Ni基底上会生长多层，而其C在Cu里面的溶解度要小与在Ni里面的溶解度。

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4楼2010-09-14 10:53:33
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